基本信息:
- 专利标题： 具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构
- 申请号：CN202411947450.1 申请日：2019-05-24
- 公开(公告)号：CN119789516A 公开(公告)日：2025-04-08
- 发明人： B·古哈 , W·徐 , L·P·古勒 , D·M·克鲁姆 , T·加尼
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 钟茂建; 吕传奇
- 优先权： 16/017966 2018.06.25 US
- 分案原申请号： CN201910438948.8 2019.05.24
- 主分类号： H10D84/83
- IPC分类号： H10D84/83 ; H10D84/03 ; H10D84/85 ; H10B80/00 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
具有全环栅器件的自对准栅极端盖(SAGE)架构。描述了具有全环栅器件的自对准栅极端盖(SAGE)架构，以及制造具有全环栅器件的自对准栅极端盖(SAGE)架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括：半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度。纳米线在半导体鳍片上方。栅极结构在纳米线和半导体鳍片上方，栅极结构具有与第二方向上的第二端相对的第一端，所述第二方向垂直于第一方向。包括一对栅极端盖隔离结构，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第一个与半导体鳍片的第一侧等距间隔开，同时该对栅极端盖隔离结构中的第二个与半导体鳍片的第二侧间隔开。