基本信息:
- 专利标题： 一种高热导率、高模量碳化硅陶瓷及其制备方法
- 申请号：CN202510046969.0 申请日：2025-01-13
- 公开(公告)号：CN119822840A 公开(公告)日：2025-04-15
- 发明人： 陈健 , 黄常聪 , 黄政仁 , 廖圣俊 , 高晨溪 , 彭兰
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 郑优丽; 王勇
- 主分类号： C04B35/565
- IPC分类号： C04B35/565 ; C04B35/622 ; C04B35/638
摘要：
本发明涉及一种高热导率、高模量碳化硅陶瓷及其制备方法。所述高热导率、高模量碳化硅陶瓷的制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅原料粉体与溶剂进行第一次混合，然后向其中加入粘结剂并进行第二次混合，得到碳化硅原料混合浆料；(2)将所述碳化硅原料混合浆料成型为素坯并进行加热固化处理，经脱粘，得到碳化硅陶瓷坯体；(3)对碳化硅陶瓷坯体进行增碳浸渍处理并进行脱粘，得到增碳浸渍碳化硅陶瓷坯体；(4)对所述增碳浸渍碳化硅陶瓷坯体进行液态硅渗透处理，得到所述高热导率、高模量碳化硅陶瓷。