基本信息:
- 专利标题： 一种用于薄片样品被抛光面的EBSD分析的制备方法
- 申请号：CN202311329205.X 申请日：2023-10-16
- 公开(公告)号：CN119845998A 公开(公告)日：2025-04-18
- 发明人： 廖奕鸥 , 冯辉 , 白云龙 , 赵鹏翔 , 马广财 , 张重远
- 申请人： 中国科学院金属研究所
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人： 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人： 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构： 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 张志伟
- 主分类号： G01N23/20008
- IPC分类号： G01N23/20008 ; G01N23/203 ; G01N23/20058
摘要：
本发明属于金属微分析技术领域，尤其涉及一种用于薄片样品被抛光面的EBSD分析的制备方法。(1)样品的截取：截取样品，经酒精清洗、吹干；(2)样品的磨平：将样品的截面磨平，使用70～100rad/min的转速做慢速研磨，从500#到2000#砂纸再依次用平均粒径为10μm、5μm和1μm的金刚石悬浮液进行抛光，经酒精清洗、吹干；(3)样品的精抛光：使用离子抛光，将抛光面中心处于离子束聚焦点设置电压和时间，精抛光的样品直接用于EBSD分析。从而，解决了由于样品被加工面的上下两个端面不平行、被抛光面厚度在1mm以下而导致无法更好的进行离子束截面抛光问题。