基本信息:
- 专利标题： 等离子体处理方法以及等离子体处理装置
- 申请号：CN202411435352.X 申请日：2024-10-15
- 公开(公告)号：CN119852176A 公开(公告)日：2025-04-18
- 发明人： 小川正太郎 , 古川良太
- 申请人： 松下知识产权经营株式会社
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人： 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 韩丁
- 优先权： 2023-178858 2023.10.17 JP
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/67 ; H01J37/32 ; C23C16/52 ; C23C16/50
摘要：
提供氧化膜的还原速率提高并且能够抑制对基板的损伤的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。所公开的等离子体处理方法包括：配置工序，将在表面包含金属和形成在所述金属上的氧化膜的基板配置在等离子体处理室内；和第1工序，通过向所述等离子体处理室导入第1气体并生成第1等离子体，来对所述氧化膜进行还原。所述氧化膜是由于所述金属的表面被氧化而形成的膜。所述第1气体含有水蒸气和氩。在所述第1气体中，所述氩的体积Va相对于所述水蒸气的体积Vw的比率Va/Vw处于0.01～1.50的范围内。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |