基本信息:
- 专利标题： 一种高可靠性功率器件及其制作方法
- 申请号：CN202411988923.2 申请日：2024-12-31
- 公开(公告)号：CN119855210A 公开(公告)日：2025-04-18
- 发明人： 刘辉 , 朱阳军 , 邓小社 , 吴凯 , 张广银 , 杨飞
- 申请人： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 , 芯长征微电子制造（山东）有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区）
- 专利权人： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司,芯长征微电子制造（山东）有限公司
- 当前专利权人： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司,芯长征微电子制造（山东）有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区）
- 代理机构： 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
- 代理人： 过顾佳
- 主分类号： H10D62/10
- IPC分类号： H10D62/10 ; H10D62/17 ; H10D30/66 ; H10D30/01
摘要：
本申请提供一种高可靠性功率器件及其制作方法，该功率器件包括第一导电类型外延层、元胞区及第一金属。其中，元胞区位于第一导电类型外延层中且包括多个元胞。元胞包括沟槽栅、第二导电类型接地屏蔽区及肖特基区。沟槽栅包括沟槽。第二导电类型接地屏蔽区包覆沟槽的一侧及底部的至少一部分。肖特基区位于第二导电类型接地屏蔽区远离沟槽的一侧。第一金属位于第一导电类型外延层上方。第一金属与第二导电类型接地屏蔽区电性连接且与肖特基区具有肖特基接触。该功率器件中第二导电类型接地屏蔽区的设置，有助于实现功率器件的高可靠性。且元胞中集成的肖特基二极管，可以降低功率器件的开关损耗。该制作方法工艺简单易实现。