基本信息:
- 专利标题： 一种沟槽型功率器件及其制作方法
- 申请号：CN202411988934.0 申请日：2024-12-31
- 公开(公告)号：CN119855211A 公开(公告)日：2025-04-18
- 发明人： 刘辉 , 朱阳军 , 邓小社 , 吴凯 , 张广银 , 杨飞
- 申请人： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 , 芯长征微电子制造（山东）有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区）
- 专利权人： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司,芯长征微电子制造（山东）有限公司
- 当前专利权人： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司,芯长征微电子制造（山东）有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区）
- 代理机构： 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
- 代理人： 过顾佳
- 主分类号： H10D62/10
- IPC分类号： H10D62/10 ; H10D30/63 ; H10D12/00 ; H10D30/01 ; H10D12/01
摘要：
本申请提供一种沟槽型功率器件及其制作方法，该功率器件包括半导体层，以及位于半导体层中的元胞功能区、屏蔽结构及接地结构。元胞功能区包括多个沟槽栅。屏蔽结构包括至少一屏蔽区域，屏蔽区域经过多个沟槽栅的下方延伸。接地结构包括至少一接地区域，接地区域接地。其中，至少一接地区域与同一屏蔽区域电性连接以构成屏蔽接地单元。屏蔽接地单元的导电类型与半导体层导电类型不同。该功率器件通过屏蔽接地单元减弱多个沟槽栅的底部的电场集中程度，提高功率器件的可靠性。对屏蔽接地单元的结构设置，可以在保证良好屏蔽保护效果的同时，保证功率器件的沟道密度，提升功率器件的导通能力，且整体结构简单。该制作方法工艺步骤简单。