基本信息:
- 专利标题： 一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构
- 申请号：CN202510156434.9 申请日：2025-02-12
- 公开(公告)号：CN119864961A 公开(公告)日：2025-04-22
- 发明人： 黄伟义 , 陈伟华 , 刘源
- 申请人： 辽宁工程技术大学
- 申请人地址： 辽宁省阜新市中华路47号
- 专利权人： 辽宁工程技术大学
- 当前专利权人： 辽宁工程技术大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省阜新市中华路47号
- 主分类号： H02J50/70
- IPC分类号： H02J50/70 ; H02J50/10 ; H02J50/00 ; H01F38/14 ; H01F27/36
摘要：
本发明提供了一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构，包括固定层，磁屏蔽层，发射线圈L
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H02 | 发电、变电或配电 |
| ----H02J | 供电或配电的电路装置或系统；电能存储系统 |
| ------H02J50/00 | 用于无线供电或配电的电路装置或系统 |
| --------H02J50/70 | .涉及减少电、磁或电磁场的泄漏 |