基本信息:
- 专利标题： 优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置
- 申请号：CN202510317590.9 申请日：2025-03-18
- 公开(公告)号：CN119876881A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 张超 , 张陈斌 , 丁聪 , 葛青涛 , 王世宽 , 宋永辉
- 申请人： 无锡尚积半导体科技股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房
- 专利权人： 无锡尚积半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人： 无锡尚积半导体科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房
- 代理机构： 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 高敏; 屠志力
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; H01J37/34 ; H01L21/67
摘要：
本申请公开了一种优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置，包括工作腔、载台、靶材和准直器，镀膜过程中，靶材溅射出的金属原子能够穿过准直器、落到载台承接的晶圆上，准直器能够挡去部分金属原子，使得沉积到平面上的金属原子量减少；准直器包括上安装板、下安装板和金属波纹管，金属波纹的管壁呈波纹状，能够高效捕捉并固定金属原子，还能够承受一定的压力、并进行适应性弹性变形；上安装板和下安装板的间距可调，以便于根据工艺要求控制倾斜原子的通过量，从而降低晶圆表面膜层的平面厚度、改善膜层台阶厚度和平面厚度的比值、优化晶圆的镀膜效果。