基本信息:
- 专利标题： 一种基于碲纳米线原位转化构建金纳米线薄膜以制备柔性电极的方法
- 申请号：CN202510073293.4 申请日：2025-01-17
- 公开(公告)号：CN119876925A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 朱剑 , 党敏敏 , 刘世宇 , 张鑫 , 张安妮
- 申请人： 南开大学
- 申请人地址： 天津市津南区海河教育园同砚路38号
- 专利权人： 南开大学
- 当前专利权人： 南开大学
- 当前专利权人地址： 天津市津南区海河教育园同砚路38号
- 代理机构： 天津耀达律师事务所
- 代理人： 邵洪军
- 主分类号： C23C18/44
- IPC分类号： C23C18/44 ; B82Y40/00 ; H01B13/00 ; H01B5/14 ; C01B19/02
摘要：
本发明公开了一种基于碲纳米线原位转化构建金纳米线薄膜以制备柔性电极的方法，先通过水热合成制备碲纳米线，在预处理后的基板上静电吸附碲纳米线薄膜，利用原位转化方法制备金纳米线薄膜，再将金纳米线薄膜转移至柔性衬底，制得柔性金纳米线电极。所述原位转化法制备步骤简单、生产成本低、材料利用率和转换效率高，同时能够保持碲纳米线薄膜的原有形貌结构。因此，所制备的金纳米线薄膜具有与碲纳米线高纵横比相似的特征。此外，原位转化过程中碲原子的积极参与加速了转化速度，使得金原子含量和导电性迅速提升。所述适用于薄膜的柔性衬底具有多样的选择性，能够根据不同的具体应用需求进行选择，从而拓宽了其在柔性电极领域的应用范围。