基本信息:
- 专利标题： 带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法
- 申请号：CN202510092930.2 申请日：2025-01-21
- 公开(公告)号：CN119880241A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 李村 , 秦川界 , 赵玉龙 , 郝乐 , 张冉
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构： 西安智大知识产权代理事务所
- 代理人： 贺建斌
- 主分类号： G01L9/00
- IPC分类号： G01L9/00 ; G01L19/00
摘要：
一种带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法，包括由下向上设置的支撑层、绝缘层和器件层；支撑层背部刻蚀有空腔，空腔正上方为敏感膜，敏感膜上设有一字梁双岛结构；在一字梁双岛结构的边缘与中心处分别布置有四个压敏电阻条，四个压敏电阻条通过五个P型重掺杂硅引线连接成半开环惠斯通电桥，五个P型重掺杂硅引线区域中心处设置有五个金属点电极，周围外侧设有密封圈，相邻P型重掺杂硅引线与密封圈间通过细缝相隔；本发明有效提升其压力承受极限，在确保高量程的同时，实现优异的灵敏度和线性度表现，具备数十至数百兆帕高压测量能力，耐受温度高达400℃，广泛适用于石油、天然气、化工及高压设备监测等领域。