基本信息:
- 专利标题： 半导体装置与操作半导体装置的方法
- 申请号：CN202410767361.2 申请日：2024-06-14
- 公开(公告)号：CN119889382A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 林谷峰 , 喻鹏飞 , 张彤诚 , 林羽凡 , 黄圣博 , 王奕
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国
- 优先权： 18/400,921 2023.12.29 US
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11C13/00 ; G11C11/02 ; G11C11/56
摘要：
本揭示案是关于一种半导体装置与操作半导体装置的方法。一种半导体装置包含：读出放大器；第一记忆体阵列，包含位于读出放大器的第一侧上的第一记忆体单元的第一段；第二记忆体阵列，包含位于读出放大器的第二侧上的第二记忆体单元的第二段；第一参考单元，连接至第一记忆体阵列中的第一参考字元线，供用于自第二记忆体单元读出数据；及第二参考单元，连接至第二记忆体阵列中的第二参考字元线，供用于自第一记忆体单元读出数据。连接至第一参考字元线中的一者的第一参考单元供用于自第二段中的一者读出数据，且连接至第一参考字元线中的另一者的第一参考单元供用于自第二段中的另一者读出数据。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |