基本信息:
- 专利标题： 记忆体装置及其操作方法
- 申请号：CN202410770289.9 申请日：2024-06-14
- 公开(公告)号：CN119889387A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 周晏圻 , 徐绍轩 , 林姿均 , 黄健羽 , 李政宏 , 廖宏仁
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国
- 优先权： 18/400,687 2023.12.29 US
- 主分类号： G11C11/408
- IPC分类号： G11C11/408 ; G11C11/4091 ; G11C11/4096
摘要：
一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置具有记忆体单元，记忆体单元在具有第一电压位准的第一电源域中操作。记忆体字线连接至记忆体单元，且记忆体位元线连接至记忆体单元。字线解码器电路在第一电源域中操作，且字线驱动器电路用以自字线解码器电路接收行地址信号且输出字线致能信号至记忆体字线。IO电路连接至记忆体位元线，且IO电路在具有低于第一电压位准的第二电压位准的第二电源域中操作。追踪字线连接至追踪单元，且追踪字线用以在第一电源域中输出追踪单元致能信号。追踪位元线连接至追踪单元，且追踪位元线用以在第一电源域中输出触发信号至IO电路。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/4063 | .....辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的 |
| ------------G11C11/407 | ......用于场效应型存储单元的 |
| --------------G11C11/408 | .......寻址电路 |