基本信息:
- 专利标题： 氧化物基阻变存储器的优化方法、保持性检测方法及装置
- 申请号：CN202311385314.3 申请日：2023-10-24
- 公开(公告)号：CN119889389A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 许晓欣 , 郑旭 , 董大年 , 杨建国 , 易海兰 , 孙文绚 , 赖锦茹
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 樊晓
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00
摘要：
本公开提供了一种氧化物基阻变存储器的优化方法、保持性检测方法及装置，可以应用于微电子技术领域。该氧化物基阻变存储器的优化方法包括：对氧化物基阻变存储器进行成型操作，得到处于激活状态的第一阻变存储器；对第一阻变存储器进行第一预设数量次第一擦写操作，得到处于预设阻态范围的第二阻变存储器；对第二阻变存储器进行第二预设数量次第二擦写操作，得到处于预设阻态范围的目标阻变存储器，其中，第二擦写操作中使用的第二复位电压是对预设电压值和第一预设数量次第一擦写操作中各自分别使用的第一复位电压的平均值进行求和得到的。