基本信息:
- 专利标题： 一种自生成金属-石墨烯复合热界面材料的加工方法
- 申请号：CN202510071848.1 申请日：2025-01-16
- 公开(公告)号：CN119890055A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 杨冠南 , 熊骞 , 张启元 , 黄光汉 , 张昱 , 崔成强
- 申请人： 广东工业大学
- 申请人地址： 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 专利权人： 广东工业大学
- 当前专利权人： 广东工业大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 代理机构： 佛山市禾才知识产权代理有限公司
- 代理人： 朱培祺
- 主分类号： H01L21/50
- IPC分类号： H01L21/50 ; H01L23/373 ; H01L23/367
摘要：
本发明涉及热界面材料技术领域，公开一种自生成金属‑石墨烯复合热界面材料的加工方法，应用于芯片加工，将石墨烯及其衍生物、金属盐、陶瓷等高导热颗粒和还原剂加入水或醇类溶剂中，经过分散处理得到混合液A；加入硅脂或硅树脂中至少一种，分散处理得到浆料B；涂到待加工的芯片的散热表面，覆盖散热片，加热触发反应并保持至烘干，在烘干过程中溶剂挥发，金属生成在散热表面和散热片之间，直至溶剂完全挥发，散热片固定于芯片的散热表面。通过还原剂将金属盐还原成纳米金属颗粒，使得这些纳米金属颗粒填充在石墨烯网格间，形成纳米金属复合石墨烯热界面材料。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |