基本信息:
- 专利标题： 一种晶圆减薄装置及晶圆减薄方法
- 申请号：CN202411939832.X 申请日：2024-12-26
- 公开(公告)号：CN119890081A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 王慧慧 , 栾兆宇 , 关宝璐 , 孙乾辉 , 刘鹏 , 杜浩然
- 申请人： 北京工业大学
- 申请人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人： 北京工业大学
- 当前专利权人： 北京工业大学
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构： 北京律谱知识产权代理有限公司
- 代理人： 黄云铎
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/306
摘要：
本发明提供一种晶圆减薄装置，包括：用于盛放腐蚀液的罐体、晶圆固定部件、狭缝生成部件；其中，晶圆固定部件、狭缝生成部件均安装在罐体内部，待减薄的晶圆通过晶圆固定部件固定，狭缝生成部件与待减薄的晶圆的腐蚀面之间形成狭缝。本发明提供的晶圆减薄装置通过设置狭缝生成部件，使得晶圆在腐蚀过程中生成的气泡能够在晶圆腐蚀面附近发生聚并或破溃，从而使得气泡聚并或破溃所产生的微射流能够对晶圆腐蚀面产生百MPa数量级的压强，晶圆腐蚀速率大幅提升，同时降低晶圆腐蚀后的表面粗糙度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |