基本信息:
- 专利标题： 一种用于铜互连线的低电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层
- 申请号：CN202510105904.9 申请日：2025-01-23
- 公开(公告)号：CN119890179A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 陈秀华 , 刘龙思 , 曹依琳 , 赵俊楠 , 马文会
- 申请人： 云南大学
- 申请人地址： 云南省昆明市翠湖北路2号
- 专利权人： 云南大学
- 当前专利权人： 云南大学
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市翠湖北路2号
- 代理机构： 长沙市融智专利事务所(普通合伙)
- 代理人： 蒋太炜
- 主分类号： H01L23/532
- IPC分类号： H01L23/532 ; C23C14/06 ; C23C14/35 ; C23C14/54 ; C23C14/58 ; H01L21/768
摘要：
本发明属于集成电路制造领域，具体涉及一种用于铜互连线的低电阻率高失效温度的单层扩散阻挡层。所述扩散阻挡层为铜互连扩散阻挡层，所述铜互连扩散阻挡层位于铜和硅基底之间，所述铜互连扩散阻挡层同时含有M和N元素，所述M选自Zr、Hf中的一种，所述铜互连扩散阻挡层通过磁控溅射工艺制备，制备磁控溅射制备铜互连扩散阻挡层时，氮气含量占工作气体含量为18%~25%。本发明通过磁控溅射首次得到了超薄且600摄氏度电阻率低于40微欧姆每厘米（甚至低于10微欧姆每厘米）且失效温度还能大于600摄氏度的单层氮化物扩散阻挡层。本发明组分设计合理、工艺简单可控，便于产业化应用。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |
| ------------H01L23/532 | ...按材料特点进行区分的 |