基本信息:
- 专利标题： 外腔半导体激光器阵列结构
- 申请号：CN202510062751.4 申请日：2025-01-15
- 公开(公告)号：CN119890910A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 韦欣 , 袁崇献 , 王泂淏 , 邱小浪 , 李川川
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 李婉婉
- 主分类号： H01S5/024
- IPC分类号： H01S5/024 ; H01S5/14 ; H01S5/40
摘要：
本公开提供了一种外腔半导体激光器阵列结构，涉及半导体激光器技术领域，用以解决常规散热方式难以满足外腔半导体激光器及其阵列的散热需求和热串扰问题，进而限制外腔半导体激光器及其阵列的输出功率和功率应用的技术问题。该结构包括：激光芯片，用于提供光增益；外腔反射镜，与激光芯片共同形成外部谐振腔，用于提供光反馈；外腔冷却液，填充于激光芯片和外腔反射镜之间，用于吸收激光芯片在工作过程中产生的热量；其中，外腔冷却液在激光器发射波长下的折射率与外部谐振腔的腔长相匹配，使得外部谐振腔能够满足谐振条件，从而实现激光输出。