基本信息:
- 专利标题： 一种存储单元、存储器及其访问方法、电子设备
- 申请号：CN202311386826.1 申请日：2023-10-24
- 公开(公告)号：CN119893980A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 朱正勇 , 康卜文 , 赵超
- 申请人： 北京超弦存储器研究院
- 申请人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- 专利权人： 北京超弦存储器研究院
- 当前专利权人： 北京超弦存储器研究院
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- 代理机构： 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理人： 吴凤凰; 栗若木
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
一种存储单元、存储器及其访问方法、电子设备，存储器包括：沿垂直于衬底方向堆叠的多层存储阵列，与多层存储阵列一一对应的多条第一字线，其中，存储阵列包括沿阵列分布的多个存储单元，与多层所述存储阵列的行对应的多条第二字线，所述存储单元包括晶体管，晶体管包括第一栅电极和第二栅电极，同层的存储单元的第一栅电极连接到该层所对应的所述第一字线，不同层的同行的存储单元的第二栅电极连接到该行对应的所述第二字线。本实施例提供的方案，通过第一字线和第二字线即可实现选中一行存储单元，在减少字线驱动器数量的同时可以无需设置用于字线选通的选通晶体管，无需增加制造选通晶体管的工艺步骤，简化工艺，降低成本，且控制逻辑简单。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B12/00 | 动态随机存取存储器（DRAM） |