基本信息:
- 专利标题： 基于金刚石衬底的GaN/InP多沟道异质结器件及制备方法
- 申请号：CN202510023631.3 申请日：2025-01-07
- 公开(公告)号：CN119894035A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 陶鸿昌 , 贾敬宇 , 许晟瑞 , 张涛 , 苏华科 , 刘旭 , 高源 , 朱家铎 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 刘长春
- 主分类号： H10D30/47
- IPC分类号： H10D30/47 ; H10D62/17 ; H10D62/824 ; H10D30/01
摘要：
本发明公开了一种基于金刚石衬底的GaN/InP多沟道异质结器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次设置的金刚石衬底、氮化硼插入层、GaN成核层和GaN缓冲层，其中，所述GaN缓冲层的上表面设置有多层叠层结构，每个叠层结构包括n型InP沟道层以及设置在所述n型InP沟道层的上表面的GaN势垒层；所述叠层结构的上表面两侧分别形成源极和漏极；所述源极和所述漏极之间的叠层结构的上表面依次设置有介质层和栅极。本发明利用金刚石材料作为衬底，结合InP材料高电子迁移率的特点形成多沟道异质结结构，不仅能缓解热堆积问题，还能显著提升载流子迁移率，全面提升器件的高功率、高频性能及可靠性。