基本信息:
- 专利标题： 一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法
- 申请号：CN202510369042.0 申请日：2025-03-27
- 公开(公告)号：CN119894037A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 陈涛 , 彭圣尧
- 申请人： 中国科学技术大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市金寨路96号
- 专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市金寨路96号
- 代理机构： 北京乾成律师事务所
- 代理人： 缪顾进
- 主分类号： H10D30/47
- IPC分类号： H10D30/47 ; H10D30/01
摘要：
本申请涉及纳米电子器件技术领域，特别是涉及一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法。该器件包括：多个用于调控纳米二维材料沟道导电类型的静电栅极以及与有源区直接相连的纳米电极，其中数个纳米电极直接与中心二维材料相连，同时侧栅电极未与中心二维材料相连。通过施加不同的栅极电压，可以调控中心二维材料的载流子类型、密度及输运机理，实现在n型、p型或者无掺杂状态中自由切换。本发明提出的器件结构具有多个纳米尺寸的侧栅电极以及与沟道相连的电极，利用了二维材料的电可调谐性，可以获得较强的栅极控制能力、较高的器件集成度、可重构功能等优点。