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IPC结构图谱:
H 电学
--H10 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
----H10D 无机电子半导体器件注释1.该子类涵盖具有无机半导体主体的电子半导体器件,这包括以下类型的器件:特别适用于整流、放大、振荡或开关的无机半导体器件,例如晶体管或二极管;具有势垒的单独的无机电阻器或电容器;没有势垒并且特别适于与其他半导体部件集成的单独的电阻器、电容器或电感器;由该子类覆盖的器件的半导体本体或其区域;由该子类覆盖的装置的电极;集成器件,例如CMOS集成器件;特别适用于制造或处理这种装置的方法或设备。2.该子类不涵盖:电子存储器件,其由子类H10B覆盖;对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射敏感的半导体器件,其被H10F子类覆盖;具有至少一个势垒的发光半导体器件,其被子类H10H覆盖;热电、热磁、压电、电致伸缩、磁致伸缩、磁效应、超导或其他电固态装置,其被子类H10N覆盖;除了由组H01L23/00覆盖的半导体主体或电极之外的结构细节。3.在该子类中,所用的周期系是元素周期表中C节注(3)下所示的I-VIII族系。1.单独的装置1)电阻器;电容器;电感器(H10D1/00)2)二极管(H10D8/00)3)双极结型晶体管(H10D10/00)4)由场效应控制的双极器件(H10D12/00)5)晶闸管(H10D18/00)6)FETS(H10D30/00)7)电荷转移装置(H10D44/00)8)其他单独装置(H10D48/00)2.构造细节1)主体(H10D62/00)2)电极(H10D64/00)3.集成器件;多个设备的组装件1)多个装置的组装件(H10D80/00)2)形成于仅包括半导体层的半导体衬底中或上的集成装置(H10D84/00)3)在绝缘或导电衬底中或上形成的集成器件(H10D86/00)4)在同一衬底上包括体器件和SOI或SOS器件两者的集成器件(H10D87/00)5)3D集成器件(H10D88/00) 6)集成器件的其他方面(H10D89/00) 4.该类的其他组中未提供的主题
------H10D30/00 场效应晶体管
--------H10D30/60 .绝缘栅场效应晶体管