基本信息:
- 专利标题： 超级结器件及其形成方法
- 申请号：CN202510188018.7 申请日：2025-02-19
- 公开(公告)号：CN119894061A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 陈云骢 , 钱文生 , 刘冬华
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 张雪彬
- 主分类号： H10D62/10
- IPC分类号： H10D62/10 ; H10D30/66 ; H10D30/01 ; H10D12/01 ; H10D12/00
摘要：
本发明提供一种超级结器件及其形成方法，其中超级结器件包括：衬底，所述衬底包括第一面；自所述第一面位于所述衬底内的深沟槽；位于所述深沟槽的侧壁表面的绝缘层；位于所述深沟槽内的掺杂柱，所述掺杂柱内具有第一掺杂离子，在垂直于所述衬底表面方向上所述掺杂柱内的所述第一掺杂离子的浓度与所述深沟槽的宽度呈自适应匹配关系，其中，所述掺杂柱包括：位于所述绝缘层的表面和所述深沟槽的底部表面的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层内具有所述第一掺杂离子；位于所述第一多晶硅层表面的第二多晶硅层，所述第一多晶硅层内的部分所述第一掺杂离子扩散至所述第二多晶硅层；有效提升超级结器件的击穿电压且为后续器件尺寸的进一步缩小提供可能性，具有较广泛的适用范围。