基本信息:
- 专利标题： 发光二极管及其制备方法
- 申请号：CN202411761672.4 申请日：2024-12-03
- 公开(公告)号：CN119894191A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 崔伟豪 , 田艳红 , 刘小亮 , 任茹蓁 , 王薇 , 林振华
- 申请人： 京东方华灿光电（浙江）有限公司
- 申请人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 专利权人： 京东方华灿光电（浙江）有限公司
- 当前专利权人： 京东方华灿光电（浙江）有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 吕耀萍
- 主分类号： H10H20/84
- IPC分类号： H10H20/84 ; H10H20/857 ; H10H20/01
摘要：
本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、复合透明导电层、介质膜层和金属反射层；复合透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，第二透明导电子层包括多个导电单元；第一透明导电子层位于外延结构表面，多个导电单元间隔排布在第一透明导电子层表面，介质膜层覆盖第一透明导电子层，介质膜层具有与多个导电单元对应的通孔，通孔的底部位于导电单元表面，金属反射层覆盖介质膜层且与通孔内的第二透明导电子层电连接。复合透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，避免了在制作介质膜层的通孔时过刻蚀，使得透明导电层过薄，导致电流扩展能力下降，提高了发光二极管的可靠性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10H | 具有势垒的无机发光半导体器件注释1.此小类涵盖发射可见光、红外线 |
| ------H10H20/00 | 具有势垒的单独的无机发光半导体器件，例如发光二极管 |
| --------H10H20/80 | .构造细节 |
| ----------H10H20/84 | ..涂层，例如钝化层或抗反射涂层 |