基本信息:
- 专利标题： 用于形成具有低电阻率的金属间隙填充物的方法
- 申请号：CN202380065707.8 申请日：2023-09-11
- 公开(公告)号：CN119895560A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 徐翼 , 雷雨 , 亓智敏 , 张爱西 , 赵咸元 , 雷伟 , 高兴尧 , 希里什语·A·佩特 , 黄涛 , 常翔 , 帕特里克·博-均·李 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 汪荣军
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国; 吴启超
- 优先权： 17/944,596 2022.09.14 US
- 国际申请： PCT/US2023/032375 2023.09.11
- 国际公布： WO2024/058990 US 2024.03.21
- 进入国家日期： 2025-03-12
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/285 ; C23C16/02 ; C23C16/04 ; C23C16/06
摘要：
用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |