基本信息:
- 专利标题： 用于提高3D NAND单元中的迁移率及导通电流的整合方法
- 申请号：CN202380067357.9 申请日：2023-09-06
- 公开(公告)号：CN119896062A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 米兰·佩西奇
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国; 吴启超
- 优先权： 63/409,036 2022.09.22 US
- 国际申请： PCT/US2023/032068 2023.09.06
- 国际公布： WO2024/063949 US 2024.03.28
- 进入国家日期： 2025-03-19
- 主分类号： H10B43/35
- IPC分类号： H10B43/35 ; H10B43/27 ; H10B41/35 ; H10B41/27 ; H01L21/225
摘要：
在本文中提供的本公开内容的实施方式包括用于形成改良三维(3D)存储器结构/单元的设备及形成改良三维(3D)存储器结构/单元的方法，所述改良三维(3D)存储器结构/单元包括通道，所述通道包括多晶硅通道，所述多晶硅通道已被处理以钝化及移除在3D存储器装置(诸如3D NAND装置)的通道结构中发现的缺陷。在一些实施方式中，在通道结构上执行的处理利用含氟层的沉积，所述含氟层包括氟(F)原子的浓度，使用至少一个退火步骤将氟(F)原子接着驱使进入多晶硅通道层，所述至少一个退火步骤在含氢或氘的环境中执行以使多晶硅层装载有氟(F)原子和氢(H)原子。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B43/00 | 具有电荷俘获栅极绝缘层的EEPROM |
| --------H10B43/20 | .以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ----------H10B43/35 | ..具有单元选择晶体管的，例如，NAND |