基本信息:
- 专利标题： 晶体管的集成偶极区
- 申请号：CN202380059641.1 申请日：2023-08-15
- 公开(公告)号：CN119896065A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 杨逸雄 , 黄天逸 , 马腾洲 , 赛沙德利·甘古利
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国; 吴启超
- 优先权： 17/891,923 2022.08.19 US
- 国际申请： PCT/US2023/030230 2023.08.15
- 国际公布： WO2024/039647 US 2024.02.22
- 进入国家日期： 2025-02-13
- 主分类号： H10D64/68
- IPC分类号： H10D64/68 ; H10D30/01 ; H10D30/62 ; H01L21/02
摘要：
描述了制造与处理半导体装置(即，电子装置)的方法。本公开内容的实施方式有利地提供了电子装置，其包括偶极区且满足缩减厚度与较低热预算要求。本文所描述的电子装置包括源极区、漏极区、及分开源极区与漏极区的沟道、在沟道的顶表面上的界面层、在界面层上的高κ介电层、在高κ介电层上的偶极层、及任选地在偶极层上的盖层。在一些实施方式中，方法包括退火基板以驱使原子从偶极层进入界面层或高κ介电层的一者或多者。