基本信息:
- 专利标题： 一种磁场矢量传感器与集成化工艺方法
- 申请号：CN202510078007.3 申请日：2025-01-17
- 公开(公告)号：CN119902131A 公开(公告)日：2025-04-29
- 发明人： 赵晓锋 , 宋佳芯 , 艾春鹏 , 温殿忠
- 申请人： 黑龙江大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 专利权人： 黑龙江大学
- 当前专利权人： 黑龙江大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 代理机构： 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 张玉玲
- 主分类号： G01R33/02
- IPC分类号： G01R33/02 ; G01R33/00 ; H10N59/00 ; H10N50/01
摘要：
本发明公开了一种磁场矢量传感器，包括SOI衬底以及设置在SOI衬底上的六个具有平面结构的磁敏器件，其中，第一磁敏器件与第二磁敏器件组成第一对差分结构用于检测x方向磁场，第三磁敏器件与第四磁敏器件组成第二对差分结构用于检测y方向磁场，第五磁敏器件与第六磁敏器件组成第三对差分结构用于检测z方向磁场。本发明公开的磁场矢量传感器，能够完成空间中被测点的磁场矢量检测，且具有较高的磁灵敏度一致性、较低的交叉干扰，该结构工艺简单，成本低，易于批量生产。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R33/00 | 测量磁变量的装置或仪器 |
| --------G01R33/02 | .测量磁场或磁通量的方向或大小 |