基本信息:
- 专利标题： 逻辑门晶体管、新结构逻辑门及其数据操作方法
- 申请号：CN202311375217.6 申请日：2023-10-23
- 公开(公告)号：CN119907264A 公开(公告)日：2025-04-29
- 发明人： 戴明志
- 申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址： 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
- 专利权人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址： 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
- 代理机构： 上海泰博知识产权代理有限公司
- 代理人： 魏峯
- 主分类号： H10D30/60
- IPC分类号： H10D30/60 ; H03K19/20 ; G11C11/22 ; H10D10/40
摘要：
本发明涉及一种逻辑门晶体管、新结构逻辑门及其数据操作方法，逻辑门晶体管包括：位于半导体层中的栅叠层和至少一个沟道控制区；其中，所述栅叠层包括栅极电极和栅极电介质，所述栅极电极控制所述半导体层，所述栅极电介质夹在所述栅极电极和所述半导体层之间；位于栅极电介质中的存储效应材料；在沟道控制区设置有沟道电极，沟道电极和沟道形成结电容，实现逻辑功能的时候，沟道电极的一个功能是为了可以从沟道提取电压。本发明的新结构逻辑门提供了一种减少所需电路面积和降低设备能耗的思路，可实现仿生功能和存算一体功能，具有良好的应用前景。