基本信息:
- 专利标题： 一种全局散射矩阵计算方法及装置
- 申请号：CN202311432856.1 申请日：2023-10-31
- 公开(公告)号：CN119916648A 公开(公告)日：2025-05-02
- 发明人： 丁虎文 , 韦亚一 , 范泰安 , 张利斌 , 何建芳
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 柳虹
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
本申请提供一种全局散射矩阵计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。确定多个目标膜层和初始成像结构的多个初始膜层之间相同的第二目标膜层。初始膜层的初始散射矩阵存储在数据库中，可以根据初始散射矩阵直接确定第二目标膜层的第二散射矩阵。单独计算目标成像结构中和初始膜层不同的第一目标膜层的第一散射矩阵，根据第一散射矩阵和第二散射矩阵计算得到全局散射矩阵。通过直接利用初始散射矩阵就能够直接得到第二目标膜层的第二散射矩阵，无需单独计算第二目标膜层的散射矩阵，提高了全局散射矩阵的计算效率，仅需要利用较少的计算资源计算第一目标膜层进而得到全局散射矩阵，降低计算时间。