基本信息:
- 专利标题： 一种垂直腔半导体光放大器及其使用方法
- 申请号：CN202510108504.3 申请日：2025-01-23
- 公开(公告)号：CN119921188A 公开(公告)日：2025-05-02
- 发明人： 吴振海 , 胡东霞 , 张君 , 龙蛟 , 张雄军 , 田晓琳 , 李平
- 申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 申请人地址： 四川省绵阳市绵山路64号
- 专利权人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市绵山路64号
- 代理机构： 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 张明利
- 主分类号： H01S5/50
- IPC分类号： H01S5/50
摘要：
本发明涉及一种垂直腔半导体光放大器及其使用方法，属于半导体光放大器技术领域，垂直腔半导体光放大器依次包括N面电极、N面绝缘层、衬底、有源区、P面绝缘层以及P面电极，N面电极以及P面电极均包括阴极、阳极以及放电腔，阴极放电击穿放电腔内放电气体产生低温等离子体电极，N面绝缘层以及P面绝缘层上均布有若干个漏流孔，阴极与阳极分别与放电电源电连接，N面电极以及P面电极分别与驱动电源电连接，本发明能够解决现有技术中电泵浦的垂直腔半导体光放大器因电流拥挤效应导致通光口径受限，放大能力有限，输出功率较低的技术问题。