基本信息:
- 专利标题： 三维动态随机存取存储器阵列结构和包括其的半导体装置
- 申请号：CN202510155949.7 申请日：2025-02-12
- 公开(公告)号：CN120050933A 公开(公告)日：2025-05-27
- 发明人： 潘立阳
- 申请人： 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
- 申请人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- 专利权人： 北京超弦存储器研究院,清华大学
- 当前专利权人： 北京超弦存储器研究院,清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
- 代理机构： 上海市科伟律师事务所
- 代理人： 王鹏; 雷鹏
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
本公开提供了一种三维DRAM阵列结构和包括其的半导体装置。该三维DRAM阵列结构包括：L层M行N列DRAM单元结构，每个包括：第一和第二围栅晶体管，均具有管状沟道，依次设置在竖直方向上并且电气上并联连接，以及存储电容器，具有管状结构，在竖直方向上设置在第一和第二围栅晶体管之间，内电极连接到第一和第二围栅晶体管的第一源/漏极，外电极连接到源极线；M×N个位线，沿竖直方向分别在M行N列DRAM单元结构中的第一和第二围栅晶体管以及存储电容器共同构成的管状结构内部延伸，并且分别连接到第一和第二围栅晶体管的第二源/漏极；L×M个第一和第二字线，沿第一水平方向延伸并且分别连接到L层DRAM单元结构中的第一和第二围栅晶体管的栅极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B12/00 | 动态随机存取存储器（DRAM） |