基本信息:
- 专利标题： 嵌入式存储器及其制造方法
- 申请号：CN202311613515.4 申请日：2023-11-29
- 公开(公告)号：CN120076337A 公开(公告)日：2025-05-30
- 发明人： 顾文炳
- 申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- 专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司
- 当前专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 张亚静
- 主分类号： H10B63/00
- IPC分类号： H10B63/00
摘要：
本发明提供了一种嵌入式存储器及其制造方法，所述嵌入式存储器包括：半导体衬底，其内设有第一导线；绝缘结构层，覆盖第一导线，且绝缘结构层中设有凹槽；插塞，沿凹槽的侧壁贯穿绝缘结构层连接第一导线；设于凹槽内且沿凹槽的底壁依次排布的第一电极、存储材料结构层及第二电极，第一电极位于凹槽的侧壁且与插塞相接，第二电极与第一电极相对设置，存储材料结构层填充于第一电极与第二电极之间；第二导线，设于第二电极的上方，并与第二电极连接。本发明提供的嵌入式存储器及其制造方法能够较佳地应用于不同的制程节点，以优化制程工艺，并保证器件性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B63/00 | 阻变存储器，例如，阻变RAM |