基本信息:
- 专利标题： 一种浮区法生长的高光学均匀性钽铌酸钾晶体及方法
- 申请号：CN202510250375.1 申请日：2025-03-04
- 公开(公告)号：CN120082956A 公开(公告)日：2025-06-03
- 发明人： 刘冰 , 靳荔杰 , 刘乃慎 , 王旭平 , 张锐 , 禹化健 , 邱程程 , 杨玉国
- 申请人： 山东省科学院新材料研究所
- 申请人地址： 山东省济南市历下区科院路19号
- 专利权人： 山东省科学院新材料研究所
- 当前专利权人： 山东省科学院新材料研究所
- 当前专利权人地址： 山东省济南市历下区科院路19号
- 代理机构： 临沂千里目知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 刘宝
- 主分类号： C30B13/00
- IPC分类号： C30B13/00 ; C30B29/30 ; C30B13/28 ; C30B33/02
摘要：
本发明涉及光电功能晶体材料生长领域，具体涉及一种浮区法生长的高光学均匀性钽铌酸钾晶体及方法。该方法通过以下步骤：(1)计算原料配比，确定熔剂料棒与供料棒成分；(2)两步烧结并冷等静压成型原料棒；(3)采用光学浮区炉进行晶体生长，调控供料棒熔融速率及熔体对流，确保成分稳定；(4)氧气环境下热退火处理，提高晶体性能，获得组分均匀性达10