基本信息:
- 专利标题： 薄膜晶体管及其制作方法、存储器及其读取方法
- 申请号：CN202510211403.9 申请日：2025-02-25
- 公开(公告)号：CN120111958A 公开(公告)日：2025-06-06
- 发明人： 王少昊 , 郑凌丰 , 阮敦宝 , 项家龙
- 申请人： 福州大学
- 申请人地址： 福建省福州市福州地区大学城学园路2号（旗山校区）
- 专利权人： 福州大学
- 当前专利权人： 福州大学
- 当前专利权人地址： 福建省福州市福州地区大学城学园路2号（旗山校区）
- 代理机构： 工业和信息化部电子专利中心
- 代理人： 张然
- 主分类号： H10D86/40
- IPC分类号： H10D86/40 ; H10D86/01 ; H10B12/00
摘要：
本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、存储器及其读取方法。薄膜晶体管包括：按顺序层叠设置的第一电极、第一介质层和第二电极，均设置于薄膜晶体管的外侧；第一电极是使用第一金属材料制成的，第二电极是使用第二金属材料制成的，第一金属材料与第二金属材料对应的功函数不同。根据本申请实施例，垂直型薄膜晶体管其源极与漏极采用金属功函数不对称的电极材料，可使晶体管不同方向源漏电流的转移特性I