基本信息:
- 专利标题： 一种芯片研磨后缺陷预测方法、装置、系统和介质
- 申请号：CN202311774450.1 申请日：2023-12-21
- 公开(公告)号：CN120197584A 公开(公告)日：2025-06-24
- 发明人： 季瑞安 , 陈岚
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 柳虹
- 主分类号： G06F30/398
- IPC分类号： G06F30/398 ; G06F30/392 ; G06N3/045 ; G06V30/422 ; G06V30/414 ; G06T7/62 ; G06F119/18
摘要：
本申请提供一种芯片研磨后缺陷预测方法、装置、系统和介质，利用图形处理器进行渲染；利用罗伯茨滤波得到各新多边形的顶点数据；根据各新多边形的顶点数据，计算得到各新多边形的各等效长度和各等效宽度，计算得到芯片版图目标层的目标层等效线宽；根据新多边形的总面积和芯片版图目标层的总面积，计算得到芯片版图目标层的目标层图形密度；将目标层等效线宽和目标层图形密度，输入预训练多层感知机模型，得到芯片版图目标层的预测缺陷。本申请通过图形处理器渲染得到新多边形，避免传统计算量极大的多边形接触判定和交并操作，通过预训练多层感知机模型可捕捉到研磨过程中复杂的相互作用和非线性效应，实现芯片研磨后缺陷准确快速的预测。
IPC结构图谱:
| G06F30/398 | 设计验证或优化，例如：使用设计规则检查 |