基本信息:
- 专利标题： 半导体激光器热沉结构
- 申请号：CN202510384120.4 申请日：2025-03-28
- 公开(公告)号：CN120200091A 公开(公告)日：2025-06-24
- 发明人： 仲莉 , 曾越 , 薛春来
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 李婉婉
- 优先权： 2024118081971 2024.12.10 CN
- 主分类号： H01S5/024
- IPC分类号： H01S5/024 ; H01S5/042
摘要：
本公开提供一种半导体激光器热沉结构，包括：热沉基板；上电极层设于热沉基板上表面，电极层包括平行排列的第一电极区和第二电极区，第一电极区和第二电极区之间的间隙构成电学隔离区；第一电极和第二电极与热沉基板边缘的间隙构成非导电空白区；下电极层，设于热沉基板的下表面；下电极层与热沉基板边缘的间隙构成非导电空白区；第一电极区包含金属过渡层和金属附着层，并在金属附着层上设有焊料层；设于焊料层上的高导热、绝缘凹槽结构；设于焊料层上的边发射型半导体激光器，并使脊波导台面的金属电极与焊料层接触；通过金线将激光器N面金属电极与第二电极区相连。