基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN202510300562.6 申请日：2025-03-13
- 公开(公告)号：CN120201779A 公开(公告)日：2025-06-24
- 发明人： 李永亮 , 王鑫 , 刘昊炎 , 王晓磊
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京知迪知识产权代理有限公司
- 代理人： 梁佳美
- 主分类号： H10D84/85
- IPC分类号： H10D84/85 ; H10D84/03 ; H10D84/01
摘要：
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以利于半导体器件的微缩，提高半导体器件的集成度。所述半导体器件包括半导体基底、第一晶体管、第二晶体管和第一隔离结构。第一隔离结构设置在第二晶体管包括的源漏区与第一晶体管包括的源漏区和/或沟道区之间。其中，第二晶体管包括的有源结构的长度小于第一晶体管包括的有源结构的长度，和/或，第二晶体管包括的有源结构的宽度小于第一晶体管包括的有源结构的宽度。分别属于第一晶体管和第二晶体管、且沿栅堆叠结构的长度方向位于同一侧的至少一对相邻的两个源漏接触结构间隔设置，且第一晶体管和第二晶体管包括的源漏接触结构均位于第一晶体管和第二晶体管所处区域的垂直空间内。