基本信息:
- 专利标题： 用于对忆阻器阵列进行测试的电路及测试方法
- 申请号：CN202510383880.3 申请日：2025-03-28
- 公开(公告)号：CN120236650A 公开(公告)日：2025-07-01
- 发明人： 余兆安 , 王子路 , 董大年 , 许晓欣
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 李鹏宇
- 主分类号： G11C29/56
- IPC分类号： G11C29/56
摘要：
本公开提供了一种用于对忆阻器阵列进行测试的电路及测试方法，可以应用于忆阻器测试技术领域。该电路包括：控制模块，用于提供脉冲生成控制信号和忆阻器参数测量控制信号；脉冲生成模块与控制模块电连接，用于根据多个直流电平信号和多个数字信号，生成多个高速脉冲信号；参数测量模块与控制模块电连接，用于生成多个测量电压信号，以便于在向待测忆阻器阵列输出多个测量电压信号的同时测量待测忆阻器阵列的测量电流信号，进而得到电阻参数；模拟开关矩阵与脉冲生成模块、参数测量模块和待测忆阻器阵列电连接，用于控制模拟开关，以便于利用多个高速脉冲信号和多个测量电压信号对待测忆阻器阵列进行测试，得到目标测试信息。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C29/00 | 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器 |
| --------G11C29/56 | .用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备（ATE）；所用接口 |