基本信息:
- 专利标题： 具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器及其制备方法
- 申请号：CN202311841017.5 申请日：2023-12-28
- 公开(公告)号：CN120237532A 公开(公告)日：2025-07-01
- 发明人： 高茂林 , 杨静 , 贾伟 , 赵德刚 , 许并社
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 李婉婉
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343
摘要：
本发明提供一种具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器及其制备方法。该具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器包括：沿第一方向依次叠设的衬底、下限制层、下波导层、多量子阱层、上波导层、电子阻挡层，第一方向为近紫外激光器的材料生长方向；以及在电子阻挡层背离上波导层的表面的部分区域依次叠设的上限制层和欧姆接触层，其中，电子阻挡层具有渐变的组分，用于提高近紫外激光器的输出功率和光电性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/32 | ..含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构 |
| ------------H01S5/343 | ...用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器 |