基本信息:
- 专利标题： 电磁损耗膜及应用其的电磁损耗复合结构
- 申请号：CN202410357004.9 申请日：2024-03-27
- 公开(公告)号：CN120239249A 公开(公告)日：2025-07-01
- 发明人： 吴俊斌 , 汤士源 , 柯文淞
- 申请人： 财团法人工业技术研究院
- 申请人地址： 中国台湾新竹县
- 专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 王锐
- 优先权： 112151741 2023.12.29 TW
- 主分类号： H05K9/00
- IPC分类号： H05K9/00
摘要：
本揭露公开一种电磁损耗膜及应用其的电磁损耗复合结构，其中该电磁损耗膜包含磁性氧化物膜本体及多个电磁耗损结构。磁性氧化物膜本体对应于磁响应频率(FR)，磁响应频率的范围是0.1MHz≤FR≤300GHz。电磁耗损结构形成于磁性氧化物膜本体，电磁耗损结构贯穿或凹陷于磁性氧化物膜本体，电磁耗损结构具有长径，长径大小为N1×光速/FR，0.005≤N1≤1、且电磁耗损结构之间的间距大小为N2×光速/FR，0.005≤N2≤1，且N1
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05K | 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造 |
| ------H05K9/00 | 设备或元件对电场或磁场的屏蔽 |