基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN202510214394.9 申请日：2025-02-25
- 公开(公告)号：CN120239326A 公开(公告)日：2025-07-01
- 发明人： 李永亮 , 周雨
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京知迪知识产权代理有限公司
- 代理人： 梁佳美
- 主分类号： H10D84/85
- IPC分类号： H10D84/85 ; H10D84/01 ; H10D62/60 ; H01L23/48
摘要：
本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以降低第一晶体管包括的源区和/或漏区与背面接触结构之间的接触电阻。半导体器件包括基底、第一晶体管和背面接触结构。第一接触孔位于第一晶体管包括的源区和/或漏区的下方。背面接触结构至少设置于第一接触孔内。背面接触结构至少通过第一接触孔与第一晶体管包括的源区和/或漏区电性接触。其中，与背面接触结构电性接触的第一晶体管包括的源区和/或漏区中，靠近基底的一侧的掺杂浓度，大于等于背离基底的一侧的掺杂浓度；和/或，背面接触结构与第一晶体管包括的源区和/或漏区之间的接触面积，大于第一晶体管包括的源区和/或漏区背离基底一侧在第一接触孔范围内的正投影面积。