基本信息:
- 专利标题： HBC电池的制备方法及HBC电池
- 申请号：CN202410037363.6 申请日：2024-01-10
- 公开(公告)号：CN120322052A 公开(公告)日：2025-07-15
- 发明人： 李硕 , 陈磊 , 吴坚
- 申请人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
- 申请人地址： 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
- 专利权人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
- 当前专利权人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
- 代理机构： 苏州三英知识产权代理有限公司
- 代理人： 周仁青
- 主分类号： H10F71/10
- IPC分类号： H10F71/10 ; H10F77/30 ; H10F77/20 ; H10F10/166
摘要：
本发明揭示了一种HBC电池的制备方法及HBC电池，所述制备方法包括以下步骤：提供硅片；沉积第一钝化层和第一掺杂层；沉积第三钝化层和第三掺杂层；通过激光氧化工艺形成第一氧化层和第三氧化层；以第一氧化层为掩膜，去除部分第一钝化层和第一掺杂层；沉积第二钝化层和第二掺杂层；通过激光氧化工艺形成第二氧化层；以第二氧化层为掩膜，第一氧化层为阻挡层，去除部分第二钝化层和第二掺杂层；去除第三氧化层、及第一氧化层和第二氧化层；制备电气隔离的第一电极结构和第二电极结构。本发明的HBC电池采用激光氧化工艺在掺杂层的表面形成氧化层，采用该氧化层作为图案化掩膜，优化了电池制备工艺，降低了工艺成本。