基本信息:
- 专利标题： 封装结构与其形成方法
- 申请号：CN202510507355.8 申请日：2025-04-22
- 公开(公告)号：CN120637236A 公开(公告)日：2025-09-12
- 发明人： 蔡承轩 , 陈志豪 , 张进传 , 施应庆
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 李南山
- 优先权： 18/659,650 2024.05.09 US
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/48 ; H01L21/50 ; H10B80/00 ; H01L23/31 ; H01L23/367 ; H01L23/373
摘要：
提供封装结构与其形成方法。方法包括放置含晶片结构于基板上，并形成导热层于含晶片结构上。方法亦包括放置散热盖于含晶片结构与导热层上。金属化结构埋置于散热盖中，且金属化结构面向导热层。方法还包括升温并将导热盖压向含晶片结构，使一部分或所有的金属化结构与一部分或所有的导热层转换成金属间化合物材料。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |