基本信息:
- 专利标题： 一种匹配电容结构及制备方法、内匹配电路、电子设备
- 申请号：CN202410397712.5 申请日：2024-04-02
- 公开(公告)号：CN120787116A 公开(公告)日：2025-10-14
- 发明人： 张国锋 , 李水明 , 李鹏 , 祝玮 , 陆安 , 魏星
- 申请人： 华为技术有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 代理机构： 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理人： 石佳
- 主分类号： H10N97/00
- IPC分类号： H10N97/00 ; H01L25/18
摘要：
本申请提供一种匹配电容结构及制备方法、内匹配电路、电子设备，匹配电容结构包括：基底层、第一电极层、介质层、第二电极层和导电引出层；第一电极层位于基底层之上；介质层位于第一电极层之上；第二电极层位于介质层之上，第二电极层与第一电极层的一部分重叠，且由介质层隔开；以及，导电引出层位于基底层背离第一电极层的一侧；基底层包括过孔，导电引出层通过过孔连接至第一电极层中未与第二电极层重叠的部位。本申请可以在过孔刻蚀中减小对第一电极层与第二电极层重叠的部分造成损害，减少第一电极层和第二电极层出现漏电、短路的情况，以提高过孔刻蚀后第一电极层和第二电极层重叠部分的质量和可靠性，从而提高匹配电容结构的质量。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N97/00 | 其它不包括的电固态薄膜或厚膜器件 |