基本信息:
- 专利标题： 镓系氧化物半导体膜及其成膜系统、半导体装置
- 申请号：CN202220507104.1 申请日：2022-03-09
- 公开(公告)号：CN217691180U 公开(公告)日：2022-10-28
- 发明人： 坂爪崇寛
- 申请人： 信越化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京千代田区丸之内一丁目4番1号(邮编:100-0005)
- 专利权人： 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人： 信越化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京千代田区丸之内一丁目4番1号(邮编:100-0005)
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 马明明; 黄健
- 优先权： 2021-039807 20210312 JP
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; H01L21/02 ; C23C16/40 ; C23C16/455
摘要：
本实用新型提供一种抑制凹坑而表面的平滑性良好的镓系氧化物半导体膜及其成膜系统、半导体装置。所述镓系氧化物半导体膜具有刚玉结构，膜厚为0.05μm～100μm，在所述镓系氧化物半导体膜的表面，开口径10nm～10μm且深度10nm～10μm的凹坑为10000个/cm2以下。