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21. 发明授权

CN104205395B 具有至少一个金属生长层的电子结构以及用于制造电子结构的方法有权转让
公开(公告)号：CN104205395B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201380015836.2
申请日：2013-03-19
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人：埃尔温·兰 , 菲利普·施万布 , 大卫·哈特曼 , 冈特·施密德 , 弗洛里安·埃德尔 , 扎比内·希什科夫斯基 , 维布克·萨尔费特
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/44 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/5234 , H01L51/102 , H01L51/441 , H01L51/5092 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , Y02E10/549
摘要：在不同的实施方式中提供一种电子结构(100)，所述电子结构具有至少一个有机层(112)和至少一个生长到有机层(112)上的金属生长层(114)和至少一个在金属生长层(114)上生长的金属层(116)，其中至少一个金属生长层(114)包含锗。

22. 发明公开

CN107431083A 发光器件、用于制造发光器件的方法和用于运行发光器件的方法有权
公开(公告)号：CN107431083A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680006688.1
申请日：2016-01-21
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人： A.劳施 , D.屈恩莱因
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50
摘要：在不同的实施例中提供具有发射体层（112）的发光器件（100）。发射体层（112）具有基质材料（122）并且第一发射体材料（124）和第二发射体材料（126）分布在基质材料（122）中，并且发射体层（112）具有至少一个预先给定的第一显示区域（102）和第二显示区域（104），其中第一显示区域(102)具有第一发射体材料（124）和第二发射体材料（126），并且其中第二显示区域（104）具有第一发射体材料（124）并且基本上没有第二发射体材料（126）；其中第一发射体材料（124）具有至少一个第一激发状态（T1(1)）和第二激发状态（S1(1)），其中第二激发状态（S1(1)）在能量上在第一激发状态（T1(1)）之上，并且在从第一发射体材料（124）的第一激发状态（T1(1)）过渡(202)到基本状态（S0(1)）的情况下发射第一电磁辐射（128），并且其中第二发射体材料（126）具有至少一个激发状态（S1(2)），其中在从第二发射体材料（126）的激发状态（S1(2)）过渡(210)到第二发射体材料（126）的基本状态（S0(2)）的情况下发射第二电磁辐射（130）；并且其中对第二发射体材料（126）的激发状态（S1(2)）的占用基本上借助从第一发射体材料（124）的第二激发状态（S1(1)）到第二发射体材料（126）的激发状态（S1(2)）的能量转移（208）来进行，使得能够从第一显示区域（102）发射由第一电磁辐射（128）和第二电磁辐射（130）组成的混合光（132），并且能够从第二显示区域（104）所发射的光基本上没有第二电磁辐射（130）。

23. 发明授权

CN105453296B 光电子器件和用于制造光电子器件的方法有权
公开(公告)号：CN105453296B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480045003.5
申请日：2014-08-05
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人：蒂洛·罗伊施 , 丹尼尔·斯特芬·塞茨 , 冈特·施密德 , 尼纳·里格尔 , 托马斯·多贝廷
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5268 , G02B5/0205 , G02B5/0278 , H01L51/0034 , H01L51/0043 , H01L51/5275 , H01L51/56
摘要：本发明涉及一种光电子器件(100)，包括：至少一个具有有源区域的有机功能层(30)，所述有源区域发射电磁辐射；和耦合输出元件(50)，所述耦合输出元件设置在所发射的电磁辐射的射束路径中，其中耦合输出元件(50)包括基体材料(52)和至少一个设置在其中的分离相或者多个分离相(51)，所述分离相与所述基体材料(52)不同，其中分离相(51)的折射率小于基体材料(52)的折射率，并且其中通过基体材料(52)中的分离相(51)在耦合输出元件(50)中产生电磁辐射的散射。

24. 发明授权

CN104205399B 有机光电子器件和用于制造有机光电子器件的方法有权转让
公开(公告)号：CN104205399B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380013204.2
申请日：2013-03-01
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人：蒂尔曼·施伦克尔 , 马克·菲利彭斯
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5253 , H01L27/3227 , H01L51/448 , H01L51/525 , H01L51/56 , H01L2251/5361
摘要：本发明提出一种有机光电子器件，所述有机光电子器件具有：第一衬底(1)，在所述第一衬底上设置有功能层堆(8)，所述功能层堆具有至少一个第一电极(2)、在所述第一电极之上的有机功能层(6)和在所述有机功能层之上的第二电极(7)；和封装结构(9)，所述封装结构具有第二衬底(10)，在所述第二衬底上施加有连接材料(11)和至少一个朝向所述功能层堆(8)的间隔保持件(12)，其中所述连接材料(11)设置在所述第一衬底和所述第二衬底(1，10)之间并且所述第一衬底和所述第二衬底(1，10)彼此机械地连接，其中所述功能层堆(8)由所述连接材料(11)框状地包围，并且其中所述第一电极和所述第二电极(2，7)中的至少一个具有至少一个开口(5)，在所述开口之上设置有至少一个所述间隔保持件(12)，并且所述开口与所述间隔保持件(12)相比具有更大的横向尺寸。此外本发明提出一种用于制造有机光电子器件的方法。

25. 发明公开

CN106575717A 有机光电子器件及其制造方法失效
公开(公告)号：CN106575717A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580028543.7
申请日：2015-05-20
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人：西尔克·恰尔纳 , 丹尼尔·里德尔 , 阿尔内·弗莱斯纳 , 托马斯·韦卢斯 , 尼纳·里格尔 , 约翰内斯·罗森伯格
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/441 , H01L51/0037 , H01L51/0056 , H01L51/0091 , H01L51/506 , H01L51/5072 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/56 , H01L2251/5369
摘要：描述一种有机光电子器件(10)，所述有机光电子器件包括具有掺杂的基体材料和金属纳米线的第一电极层(2)、适合用于发射或检测电磁辐射的有机的有源层(3)和第二电极层(6)。有机的有源层(3)直接邻接于第一电极层(2)。此外，描述一种用于制造有机光电子器件(10)的方法。

26. 发明公开

CN106574944A 用于识别第一发光二极管元件中的短路的方法和光电子组件有权
公开(公告)号：CN106574944A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580040595.6
申请日：2015-07-16
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人： K.雷高
IPC分类号： G01R31/26 , H05B33/08
摘要：在不同的实施例中，提供了一种用于识别第一发光二极管元件（50）中的短路的方法。在该方法中使第一发光二极管元件（50）在截止区运行。检查是否有电流（IR）沿截止方向流经第一发光二极管元件（50），并且如果所述检查得出有电流（IR）沿截止方向流动并且大于预先给定的漏电流，则识别出短路。

27. 发明授权

CN101965653B 用于制备掺杂的有机半导体层的方法有权转让复审申请
公开(公告)号：CN101965653B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN200980106931.7
申请日：2009-02-25
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人： B·格茨 , T·多伯廷 , K·迪克曼 , A·卡尼茨 , G·施米德 , A·孔策
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0083 , H01L51/0084
摘要：提供一种用于制备经掺杂的有机半导体层的方法，包括以下方法步骤：A)准备基体材料；B)准备掺杂剂配合物；和C)将基体材料与掺杂剂配合物同时蒸镀到衬底上，在方法步骤C)中使掺杂剂配合物分解，并使纯掺杂剂嵌入到基体材料之中。

28. 发明公开

CN106538056A 用于运行光电子组件的方法和光电子组件有权
公开(公告)号：CN106538056A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038209.X
申请日：2015-07-17
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人： K.雷高
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0893 , B60Q1/2696 , B60Q1/34 , B60Q11/007 , H05B33/0824 , H05B33/083 , H05B33/0851
摘要：在不同的实施例中提供用于运行光电子组件（100）的方法。所述光电子组件（100）具有至少一个器件分支（22），所述器件分支具有至少一个部段（102、110）。部段（102、110）具有至少一个发光二极管元件（12、14、16、18）。器件分支（22）被供应电能。中断器件分支（22）的电能供应。检测器件分支（22）的部段（102、110）的输入端（106、116）和器件分支（22）的部段（102、110）的输出端108、118）之间所施加的总电压（Uges）。将所述总电压（Uges）与部段（102、110）的所有发光二极管元件（12、14、16、18）的阈值电压（Uf）的和进行比较。如果所述总电压（Uges）等于或至少近似等于阈值电压（Uf）的和，则识别出器件分支（22）的部段（102、110）不具有短路。替代地或附加地，如果所述总电压（Uges）小于阈值电压（Uf）的和，则识别出器件分支（22）的部段（102、110）具有短路。

29. 发明公开

CN106537631A 照明装置、用于制造照明装置的方法无效
公开(公告)号：CN106537631A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580025029.8
申请日：2015-04-20
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人： T.韦卢斯 , D.里德尔 , N.里格尔 , S.沙尔纳 , J.罗森贝格尔 , A.弗莱斯纳
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5212 , H01L27/3202 , H01L51/5036 , H01L51/5237 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L51/56
摘要：在不同的实施例中提供一种照明装置100），所述照明装置（100）包括：具有载体（102）的衬底（130）；在载体（102）上或上方的第一电汇流排（108-1）；在载体（102）上或上方的第二电汇流排（108-2）；载体（102）上或上方的光学功能结构（104），其中光学功能结构（104）构造在第一电汇流排（108-1）与第二电汇流排（108-2）之间；以及在衬底（130）上或上方的有机功能层结构412），其中有机功能层结构（412）被构造用于将电流转变成电磁辐射；以及在有机功能层结构412）上或上方的第二电极（414）；其中光学功能结构（104）被构造为使得穿过衬底（130）的电磁辐射的光路和/或电磁辐射的谱是可改变的。

30. 发明授权

CN104641485B 用于制造严密密封的腔的设备和方法有权
公开(公告)号：CN104641485B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380043579.3
申请日：2013-07-18
申请人：欧司朗OLED股份有限公司
发明人：埃尔温·兰 , 蒂洛·罗伊施 , 菲利普·施万布
IPC分类号： H01L51/52 , B81C3/00 , C23C16/455 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/5253 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , B81C2203/0118 , B81C2203/031 , C23C16/45529 , H01L23/564 , H01L51/448 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H05K5/065 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/13 , H01L2924/00
摘要：一种设备，所述设备具有：第一载体，所述第一载体用至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据；第二载体，所述第二载体用与所述第一载体的至少一种ALD前驱体和/或MLD前驱体互补的至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据。第一载体与第二载体至少部分地借助于第一载体的ALD前驱体和第二载体的ALD前驱体之间的或者第一载体的MLD前驱体或者第二载体的MLD前驱体之间的原子键合部来连接，使得形成ALD层或者MLD层。

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