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    • 1. 发明授权
    • 光电子器件和用于制造光电子器件的方法
    • CN106537627B
    • 2019-02-05
    • CN201580038737.5
    • 2015-07-16
    • 欧司朗OLED股份有限公司
    • T.韦卢斯J.罗森贝格尔
    • H01L51/44H01L51/52H01L27/32
    • 光电子器件和用于制造光电子器件的方法。在不同的实施例中提供了一种光电子器件(1)。所述光电子器件(1)具有:第一电极(20),所述第一电极(20)具有至少一个外部电极区段(51)和至少一个内部电极区段(53),所述外部电极区段(51)被构造在所述第一电极(20)的侧边缘(55)上,所述内部电极区段(53)与所述第一电极(20)的侧边缘(55)间隔开地来构造;被构造在所述第一电极(20)上方的导电的电流分配结构(60),所述电流分配结构(60)具有至少一个外部子结构(64)和至少一个内部子结构(66),所述外部子结构(64)至少在所述外部电极区段(51)上延伸,所述内部子结构(66)至少在所述内部电极区段(53)上延伸并且所述内部子结构(66)相对于所述外部子结构(64)电绝缘;至少一根馈电线(62),所述馈电线(62)从所述第一电极(20)的侧边缘(55)朝向所述内部子结构(66)延伸,所述馈电线(62)与所述内部子结构(66)电耦合,所述馈电线(62)与所述外部子结构(64)电绝缘并且所述馈电线(62)的结构与所述电流分配结构(60)相符;绝缘结构,所述绝缘结构覆盖所述电流分配结构(60)和所述馈电线(62);有机功能层结构(22),所述有机功能层结构(22)在所述第一电极(20)、所述电流分配结构(60)、所述馈电线(62)和所述绝缘结构(84)上方;和在所述有机功能层结构(22)上方的第二电极(23)。