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41. 发明公开

EP0456825A4 EP0456825A4 - 失效
标题翻译： CN101607504A - Google专利
公开(公告)号：EP0456825A4
公开(公告)日：1994-08-03
申请号：EP90905344
申请日：1989-12-29
申请人： INSTITUT PROBLEM UPRAVLENIA AKADEMII NAUK SSSR
发明人： ZOTOV, VLADISLAV DMITRIEVICH , BODROV, VLADIMIR NIKOLAEVICH , VINOGRADOVA, ELENA PETROVNA , SEROV, ANATOLY TROFIMOVICH
IPC分类号： H01L31/111 , H01L29/00 , H01L29/06 , H01L29/82 , H01L29/861 , H01L37/02 , H01L43/08 , H01L29/02
CPC分类号： H01L29/00 , H01L29/82

42. 发明公开

EP0456825A1 HALBLEITERSTRUKTUREN, VERFAHREN ZUR STEUERUNG VON DEREN LEITFÄHIGKEIT UND FÜHLELEMENTE AUF DER BASIS DIESER HALBLEITERSTRUKTUREN 失效
标题翻译：半导体结构，方法控制导电性和感测元件在这个半导体结构的基础。
公开(公告)号：EP0456825A1
公开(公告)日：1991-11-21
申请号：EP90905344.9
申请日：1989-12-29
申请人： ZOTOV, Vladislav Dmitrievich , BODROV, Vladimir Nikolaevich , VINOGRADOVA, Elena Petrovna , SEROV, Anatoly Trofimovich
发明人： ZOTOV, Vladislav Dmitrievich , BODROV, Vladimir Nikolaevich , VINOGRADOVA, Elena Petrovna , SEROV, Anatoly Trofimovich
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L29/00 , H01L29/82
摘要： Halbleiterstruktur, in der sich die Beimischungskonzentrationen in einem solchen Verhältnis befinden, dass die Anzahl von durch die Beimischung des ersten Leitfähigkeitstyps erzeugten, durch eine dritte Beimischung kompensierten Ladungsträgern der Anzahl von durch die Beimischung eines zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugten Ladungsträgern in wesentlichen gleich ist oder diese um maximal eine Grössenordnung überschreitet. Im Verfahren zur Steuerung der Leitfähigkeit der Halbleiterstruktur (1) wird der Stromwert bei der Stromkanalbildung in einem Bereich eingestellt, bei dem in der Halbleiterstruktur (1) eine periodische Änderung der Leitfähigkeit im Stromkanal entsteht, die zu einer Änderung der Leitfähigkeit der gesamten Halbleiterstruktur (1) führt, und am Ausgang der Halbleiterstruktur (1) eine Impulsfolge erzeugt, wobei für die Strukturen (1), bei denen die Anzahl der durch die Beimischung des ersten Leitfähigkeitstyps erzeugten, durch eine dritte Beimischung kompensierten Ladungsträger die Anzahl der durch die Beimischung des zweiten Leitungstyps erzeugten Ladungsträger um nicht mehr als eine Grössenordnung überschreitet, auf die Struktur (1) bei der Stromkanalbildung eingewirkt werden muss. Die Frequenz der Leitfähigkeitsänderung in der Stromkanalzone der Struktur (1) wird durch mindestens eine äussere Einwirkung gesteuert.
摘要翻译：其中检查该混合物的浓度之间的关系做了通过在第一型导电性的外加剂产生的载波的数目和由第三混合补偿的半导体结构基本上等于，或由不超过一个顺序超出，载波的数量在第二型导电性的外加剂产生通过。在用于控制半导体结构（1）的导电性的方法中，在形成当前列的过程中的电流的值，其中在该半导体结构（1）显示电导率导致周期性变化的范围内建立整个半导体结构（1）和脉冲序列的导电性的变化，在所述半导电结构（1）的输出端获得。对于（1），其中由第一类型导电性的外加剂产生并补偿由第三混合载波的数量不超过一个数量级超过由第二型导电性的外加剂产生的载波的数目的结构中，它是需要将当前列的形成过程中适用于外部影响到该结构（1）。至少一个外部影响的应用，用于控制导电性的结构（1）的当前列的区域内的频率变化。

43. 发明公开

EP3105777A4 SELECTIVE, ELECTROCHEMICAL ETCHING OF A SEMICONDUCTOR 审中-公开
标题翻译： SELEKTIVES，ELEKTROCHEMISCHESÄZZENEINES HALBLEITERS
公开(公告)号：EP3105777A4
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：EP15745915
申请日：2015-02-10
申请人： RENSSELAER POLYTECH INST
发明人： DAHAL RAJENDRA P , BHAT ISHWARA B , CHOW TAT-SING
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/30635 , H01L21/3063 , H01L21/3228 , H01L21/465 , H01L29/00 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66204 , H01L29/66212 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Methods for facilitating fabricating semiconductor structures are provided which include: providing a multilayer structure including a semiconductor layer, the semiconductor layer including a dopant and having an increased conductivity; selectively increasing, using electrochemical processing, porosity of the semiconductor layer, at least in part, the selectively increasing porosity utilizing the increased conductivity of the semiconductor layer; and removing, at least in part, the semiconductor layer with the selectively increased porosity from the multilayer structure. By way of example, the selectively increasing porosity may include selectively, anodically oxidizing, at least in part, the semiconductor layer of the multilayer structure.
摘要翻译：提供了用于促进制造半导体结构的方法，其包括：提供包括半导体层的多层结构，所述半导体层包括掺杂剂并且具有增加的导电性; 使用电化学处理选择性地增加半导体层的孔隙率，至少部分地利用半导体层的增加的导电率选择性增加孔隙率; 以及至少部分地从多层结构去除具有选择性增加的孔隙率的半导体层。举例来说，选择性增加的孔隙率可以包括选择性地至少部分地阳极氧化多层结构的半导体层。

44. 发明公开

EP3139480A3 POWER CONVERSION DEVICE AND DRIVE DEVICE 审中-公开
标题翻译：电力转换装置和驱动装置
公开(公告)号：EP3139480A3
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：EP16178351.9
申请日：2016-07-07
申请人： Renesas Electronics Corporation
发明人： KONDO, Daisuke , TATENO, Koji , LIU, Chang , NAGATA, Nao
IPC分类号： H02M1/08 , H02M5/458 , H03K17/567 , H03K17/60
CPC分类号： H02M5/458 , H01L29/00 , H02M1/08 , H03K17/127 , H03K17/168 , H03K17/567 , H03K17/61 , H03K17/691 , H03K17/7955 , H03K2217/0081
摘要： To reduce the number of mounted components in the power conversion device and drive device.
Each high-side transistor and low-side transistor has an EGE-type structure of (emitter-gate-emitter type). A high-side driver includes a first pull-up transistor configured to apply a first positive voltage to a gate based on an emitter of the high-side transistor, and a first pull-down transistor configured to couple the gate to the emitter. A low-side driver includes a second pull-up transistor configured to apply a second positive voltage to the gate based on an emitter of the low-side transistor, and a second pull-down transistor configured to couple the gate to the emitter.
摘要翻译：减少功率转换设备和驱动设备中安装的组件数量。每个高侧晶体管和低侧晶体管具有EGE型结构（发射极 - 栅极 - 发射极型）。高侧驱动器包括被配置为基于高侧晶体管的发射极向栅极施加第一正电压的第一上拉晶体管以及被配置为将栅极耦合到发射极的第一下拉晶体管。低侧驱动器包括被配置为基于低侧晶体管的发射极向栅极施加第二正电压的第二上拉晶体管以及被配置为将栅极耦合到发射极的第二下拉晶体管。

46. 发明申请

WO2015120424A1 SELECTIVE, ELECTROCHEMICAL ETCHING OF A SEMICONDUCTOR 审中-公开
标题翻译：半导体的选择性电化学蚀刻
公开(公告)号：WO2015120424A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/US2015/015112
申请日：2015-02-10
申请人： RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE
发明人： DAHAL, Rajendra P. , BHAT, Ishwara B. , CHOW, Tat-Sing
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/46 , H01L21/465
CPC分类号： H01L21/30635 , H01L21/3063 , H01L21/3228 , H01L21/465 , H01L29/00 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66204 , H01L29/66212 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： Methods for facilitating fabricating semiconductor structures are provided which include: providing a multilayer structure including a semiconductor layer, the semiconductor layer including a dopant and having an increased conductivity; selectively increasing, using electrochemical processing, porosity of the semiconductor layer, at least in part, the selectively increasing porosity utilizing the increased conductivity of the semiconductor layer; and removing, at least in part, the semiconductor layer with the selectively increased porosity from the multilayer structure. By way of example, the selectively increasing porosity may include selectively, anodically oxidizing, at least in part, the semiconductor layer of the multilayer structure.
摘要翻译：提供了促进制造半导体结构的方法，其包括：提供包括半导体层的多层结构，所述半导体层包括掺杂剂并具有增加的导电性; 使用电化学处理选择性地增加半导体层的孔隙率，至少部分地，利用增加的半导体层的导电性选择性地增加孔隙率; 以及至少部分地从所述多层结构中选择性地增加的孔隙度去除所述半导体层。作为示例，选择性增加的孔隙率可以包括至少部分地，多层结构的半导体层选择性地阳极氧化。

47. 发明申请

WO2013112691A3 LIGHT-EMITTING DIES INCORPORATING WAVELENGTH-CONVERSION MATERIALS AND RELATED METHODS 审中-公开
标题翻译：发光波长转换材料及相关方法
公开(公告)号：WO2013112691A3
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/US2013022899
申请日：2013-01-24
申请人： COOLEDGE LIGHTING INC , TISCHLER MICHAEL ALBERT
发明人： TISCHLER MICHAEL ALBERT
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L33/501 , H01L21/00 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/00 , H01L25/0753 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L29/00 , H01L31/0203 , H01L31/022425 , H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/048 , H01L31/055 , H01L33/00 , H01L33/005 , H01L33/10 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/01005 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H05B33/02 , H05B33/12 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要： In accordance with certain embodiments, light emitting diodes, i.e. semiconductor dies (210) are embedded within polymeric binder (420; 230) which contains in a specific embodment phosphor, to form, e.g., freestanding white light-emitting dies and/or composite wafers containing multiple light-emitting dies (210) embedded in a single volume of binder (420; 230). In the methods of certain embodiments the contacts of the semicondctor dies (210) remain at least partially uncoated by the binder, or are reexposed to ambient after applying the binder (420; 230) before the dies are separated.
摘要翻译：根据某些实施例，发光二极管即半导体管芯（210）嵌入聚合物粘合剂（420; 230）中，聚合物粘合剂包含特定的荧光体，以形成例如独立的白色发光管芯和/或复合晶片其包含嵌入单个体积的粘合剂（420; 230）中的多个发光模具（210）。在某些实施例的方法中，半金属模具（210）的触点在粘合剂（420; 230）在模具分离之前施加粘合剂（420; 230）后至少部分地未被粘合剂涂覆，或者再次暴露于环境中。

48. 发明申请

WO2012047889A3 SYSTEMS AND METHODS FOR AUTOMATED REUSABLE PARALLEL BIOLOGICAL REACTIONS 审中-公开
标题翻译：用于自动可重复平行生物反应的系统和方法
公开(公告)号：WO2012047889A3
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：PCT/US2011054769
申请日：2011-10-04
申请人： GENAPSYS INC , ESFANDYARPOUR HESAAM
发明人： ESFANDYARPOUR HESAAM
IPC分类号： G01N33/551 , C12Q1/68
CPC分类号： C12Q1/6874 , B01L3/502738 , B01L3/502761 , B01L7/52 , B01L2200/0652 , B01L2200/0668 , B01L2200/0689 , B01L2200/10 , B01L2300/0645 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/089 , B01L2300/12 , B01L2300/123 , B01L2400/0415 , B01L2400/0418 , B01L2400/0421 , B01L2400/0424 , B01L2400/0427 , B01L2400/043 , B01L2400/0478 , B01L2400/0655 , B03C1/286 , B03C1/288 , B03C1/30 , B03C5/005 , B03C5/022 , B03C5/026 , B03C2201/26 , C12Q1/6848 , C12Q1/6853 , C12Q1/6869 , C40B60/10 , G01N1/40 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/5438 , G01N2001/4038 , H01L29/00 , C12Q2523/307 , C12Q2563/143 , C12Q2565/543 , C12Q2563/116 , C12Q2565/607
摘要： A method comprises magnetically holding a bead carrying biological material (e.g., nucleic acid, which may be in the form of DNA fragments or amplified DNA) in a specific location of a substrate, and applying an electric field local to the bead to isolate the biological material or products or byproducts of reactions of the biological material. For example, the bead is isolated from other beads having associated biological material. The electric field in various embodiments concentrates reagents for an amplification or sequencing reaction, and/or concentrates and isolates detectable reaction by-products. For example, by isolating nucleic acids around individual beads, the electric field can allow for clonal amplification, as an alternative to emulsion PCR. In other embodiments, the electric field isolates a nanosensor proximate to the bead, to facilitate detection of at least one of local pH change, local conductivity change, local charge concentration change and local heat. The beads may be trapped in the form of an array of localized magnetic field regions.
摘要翻译：一种方法包括在衬底的特定位置磁性地保持携带生物材料（例如，核酸，其可以是DNA片段或扩增的DNA的形式）的珠粒，并施加局部于珠粒的电场以分离生物材料或生物材料的反应产物或副产物。例如，珠粒与具有相关生物材料的其它珠粒分离。各种实施方案中的电场浓缩用于扩增或测序反应的试剂，和/或浓缩和分离可检测的反应副产物。例如，通过分离单个珠周围的核酸，电场可以允许克隆扩增，作为乳液PCR的替代。在其他实施例中，电场将纳米传感器隔离到珠子附近，以便于检测局部pH变化，局部电导率变化，局部电荷浓度变化和局部热中的至少一种。珠可以以局部磁场区域阵列的形式被捕获。

49. 发明申请

WO2017039542A1 METHOD OF ENCAPSULATING A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：封装基板的方法
公开(公告)号：WO2017039542A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/SG2016/050423
申请日：2016-08-31
申请人： NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： LEE, Kwang Hong , LEE, Eng Kian, Kenneth , TAN, Chuan Seng , FITZGERALD, Eugene A. , NGUYEN, Viet Cuong
IPC分类号： H01L21/00 , H01L27/00 , H01L29/00
CPC分类号： H01L29/00 , H01L21/8258 , H01L23/3185
摘要： A method (200) of encapsulating a substrate (202) is disclosed, in which the substrate has at least the following layers: a CMOS device layer (204), a layer of first semiconductor material (206) different to silicon, and a layer of second semiconductor material (208), the layer of first semiconductor material arranged intermediate the CMOS device layer and the layer of second semiconductor material. The method comprises: (i) circumferentially removing (252) a portion of the substrate at the edges; and (ii) depositing (254) a dielectric material on the substrate to replace the portion removed at step (i) for encapsulating at least the CMOS device layer and the layer of first semiconductor material. A related substrate is also disclosed.
摘要翻译：公开了一种封装衬底（202）的方法（200），其中衬底至少具有以下层：CMOS器件层（204），与硅不同的第一半导体材料层（206）和层的第二半导体材料（208），所述第一半导体材料层布置在所述CMOS器件层和所述第二半导体材料层的中间。该方法包括：（i）在边缘周向地去除（252）一部分基底; 和（ii）在基板上沉积（254）电介质材料以取代在步骤（i）去除的部分，用于至少封装CMOS器件层和第一半导体材料层。还公开了相关的基底。

50. 发明申请

WO2017038460A1 パワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法审中-公开
标题翻译：功率模块，功率模块散热结构和功率模块连接方法
公开(公告)号：WO2017038460A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/073951
申请日：2016-08-17
申请人：ローム株式会社
发明人：吉原　克彦
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/36
CPC分类号： H05K7/20509 , H01L23/10 , H01L23/36 , H01L23/40 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L29/00 , H05K7/026
摘要：パワーモジュール（１００）は、図示していない半導体チップが接合されたヒートシンク（１０６ｃ）と、ヒートシンク（１０６ｃ）の少なくとも一部を露出させるようにして、半導体チップの外囲を封止するパッケージ（１０１）と、ヒートシンク（１０６ｃ）を、熱伝導材（１２０）を用いて冷却器（１１０）に接合する際の、熱伝導材（１２０）の厚さを規制する厚さ制御用突起部（１０４）とを備える。充分な冷却性能を確保でき、過熱による劣化を抑えることが可能な、信頼性の高いパワーモジュール、パワーモジュールの放熱構造、およびパワーモジュールの接合方法を提供する。
摘要翻译：功率模块（100）具有：散热器（106c），其具有与图中未示出的半导体芯片接合的散热器; 用于密封所述半导体芯片的外周以暴露所述散热片（106c）的至少一部分的封装（101）; 以及当使用导热材料（120）将散热片（106c）接合到冷却器（110）时，用于控制导热材料（120）的厚度的厚度控制突起（104）。本发明提供了一种高可靠性的功率模块，功率模块散热结构和功率模块连接方法，其可以确保足够的冷却性能并且抑制由于过热导致的劣化。

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