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1. 发明申请

WO2023067775A1 ＤＣ－ＤＣコンバータ审中-公开
公开(公告)号：WO2023067775A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/JP2021/038977
申请日：2021-10-21
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：中村　勝
IPC分类号： H02M3/155
摘要：ＤＣ－ＤＣコンバータをデッドタイムレスで駆動して変換効率を向上する。【解決手段】　ＤＣ－ＤＣコンバータ１００は、第一のスイッチング素子４と第二のスイッチング素子５と、第一のスイッチング素子４と第二のスイッチング素子５とが交互にオンオフ駆動させて出力電圧が所定の電圧になるように制御を行わせる制御回路１１０を有し、制御回路１１０は、前記第一のスイッチング素子４のターンオフを検出する第一オフ検出回路１３と、第二のスイッチング素子のターンオフを検出する第二オフ検出回路１６と、を備え、第一のスイッチング素子４と第二のスイッチング素子５のいずれか一方がオフ状態からターンオン移行時に、他方のスイッチング素子のターンオフを検出する第一オフ検出回路１３または第二オフ検出回路１６のオフ信号を基に、該スイッチング素子をオン駆動させることを特徴とする。

2. 发明申请

WO2022249227A1 マルチ出力ＳＥＰＩＣコンバータ审中-公开
公开(公告)号：WO2022249227A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/JP2021/019537
申请日：2021-05-24
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：麻生　真司
IPC分类号： H02M3/155
摘要：正負出力電圧を供給するマルチ出力に対応させたＳＥＰＩＣ回路で構成されたＤＣ－ＤＣコンバータのクロスレギュレーション精度を向上させる。【解決手段】リアクトルＬｉｎ、Ｌ１、Ｌ２、スイッチング素子Ｑ１、結合コンデンサＣ１、Ｃ２整流素子Ｄ１、Ｄ２、出力コンデンサＣｏ１、Ｃｏ２で構成されたマルチ出力ＳＥＰＩＣ回路１において、結合コンデンサＣ２とリアクトルＬｉｎとの接続を変更する。結合コンデンサＣ２の接続を結合コンデンサＣ１、整流素子Ｄ１アノード、リアクトルＬ１の接続点に変更して接続することを特徴とする。

3. 发明申请

WO2022102035A1 アナログデジタル変換回路审中-公开
公开(公告)号：WO2022102035A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/JP2020/042169
申请日：2020-11-12
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：林　秀樹
IPC分类号： H03M1/46
摘要：過剰な[容量ＤＡＣ静定時間]の割り当てをなくして、高速化を実現できるＡ／Ｄ変換回路を提供する。　変換データ生成動作と、電位生成動作と、比較動作とを分解能ｂｉｔ分繰り返すことで、アナログ入力をデジタル変換値に変換する逐次比較型のＡ／Ｄ変換回路（１０）であって、変換データ生成器（４０）による変換データ生成動作と、容量ＤＡＣ（２）による電位生成動作と、比較器（３）による比較動作とを分解能ｂｉｔ分繰り返すことで、アナログ入力をデジタル変換値に変換する逐次比較型のアナログデジタル変換回路（１０）であって、容量ＤＡＣ（２）で用いている容量Ｃ０～Ｃ（ｎ－１）と特性が等しい容量素子（５１）への充放電時間に基づいて、容量ＤＡＣ（２）が生成する電位が静定する時刻を予測し、比較器（３）に比較動作を開始させる比較器動作信号を生成する比較器動作信号生成回路（５）を備えている。

4. 发明申请

WO2022049641A1 両面冷却パワーモジュールの製造方法、および両面冷却パワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：WO2022049641A1
公开(公告)日：2022-03-10
申请号：PCT/JP2020/033128
申请日：2020-09-01
申请人：サンケン電気株式会社 , サンケンエレクトリックコリア株式会社
发明人：キム・ウジン , パク・チャンヨン
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/52
摘要：【課題】両面冷却パワーモジュールにおいて、積み重ねられた材料の厚さのばらつきがあるため、1つずつ積み重ねることは、全体の積層厚さを一定に抑えることは困難である。【解決手段】材料厚さ公差がモジュール全体の厚さ公差に直接影響する場合、両面冷却モジュールの積層高さを制御するために、向かいあう絶縁基板にダイなどを積層して取り付けた後、基板に最後に取り付ける接合材（接着剤）を、特殊金属治具を使用し、予備乾燥をしないリフロープロセスで、緩衝接合層（バッファー接着層）とすることである。

5. 发明申请

WO2021064789A1 電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：WO2021064789A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：PCT/JP2019/038502
申请日：2019-09-30
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：高田　潤一 , 中野　利浩
IPC分类号： H02M3/00
摘要：マイクロコンピュータが停止できる状態では、出力回路が即座に電源供給を停止することができる電力変換装置を提供する。　入力電力を所定の出力電力に変換して出力する電力変換動作を実行する出力回路（１０）と、出力回路（１０）の内部電源（１２）から電源を供給され、出力回路（１０）による電力変換動作を制御するマイクロコンピュータ（２０）と、を備えた電力変換装置であって、マイクロコンピュータ（２０）は、電源を停止できる電源停止可能期間であるか電源を停止できない電源停止不可期間あるかを通知する状態信号を出力回路（１０）に出力し、出力回路（１０）は、電力変換動作の停止を指示する動作停止信号が入力されると、状態信号によってマイクロコンピュータ（２０）が電源停止可能期間であることが確認できた場合に、内部電源（１２）からマイクロコンピュータ（２０）への電源の供給を停止させる電源停止回路（１４）を備える。

6. 发明申请

WO2020202335A1 スイッチング電源装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020202335A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/JP2019/014233
申请日：2019-03-29
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：中村　勝
IPC分类号： H02M3/155
摘要：本発明は、出力電圧を検出し、検出された前記出力電圧を所定のビット数のデジタル値に変換する電圧検出部１と、目標値と前記電圧検出部の出力との誤差に基づき所定の演算を行うデジタルフィルタ４と、フィルタ特性分析期間に所定のデューティーで前記スイッチング素子を駆動し、前記フィルタ特性分析期間終了後に前記デジタルフィルタの演算結果に基づいたデューティーで前記主スイッチング素子を制御する駆動部５と、前記インダクタに流れる電流を検出し検出された電流を電流検出信号として出力する電流検出部６と、前記電流検出部の電流検出信号に基づき、前記フィルタ分析期間に前記インダクタに流れる突入電流の発生期間から前記インダクタと前記出力コンデンサで構成されるフィルタ特性を分析するフィルタ特性分析部７と、複数のフィルタ特性に対応した複数のフィルタ定数を格納した複数のデジタルフィルタ定数テーブルを有し、前記フィルタ特性分析期間終了後に前記フィルタ特性に応じて前記複数のデジタルフィルタテーブルの中から適したフィルタ定数を選択し前記デジタルフィルタに供給する定数格納部８とを備える。

7. 发明申请

WO2020121508A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020121508A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：PCT/JP2018/046035
申请日：2018-12-14
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：小川　嘉寿子
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
摘要：半導体装置は、素子領域（１１０）と素子領域（１１０）の周囲を囲む周辺領域（１２０）が上面に定義された半導体基体（１０）を備え、半導体基体（１０）の上面から膜厚方向に延伸する溝の内壁面に配置された絶縁膜（２１）、及び溝の内部で絶縁膜（２１）の上に配置された導電体膜（２２）をそれぞれ有する複数のトレンチ（２０）が、素子領域（１１０）の周囲を囲んで周辺領域（１２０）に多重に配置されている。周辺領域（１２０）は、素子領域（１１０）に近い内側領域（１２１）と、内側領域（１２１）の周囲に位置する外側領域（１２２）を有し、隣接するトレンチ（２０）に挟まれた半導体基体（１０）の幅は、外側領域（１２２）よりも内側領域（１２１）の方が広い。

8. 发明申请

WO2020065993A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020065993A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/JP2018/036512
申请日：2018-09-28
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：位田　真哉
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/812
摘要：半導体基体（１０）と、半導体基体（１０）の主面に配置された第１の層間絶縁膜（２１）と、第１の層間絶縁膜（２１）の上に配置された第２の層間絶縁膜（２２）と、第１の層間絶縁膜（２１）と第２の層間絶縁膜（２２）を連続して貫通する開口部に埋め込まれ、半導体基体（１０）の主面と接する導電体膜（３０）とを備え、第１の層間絶縁膜（２１）の側面と半導体基体（１０）の主面とのなす第１の傾斜角Ｓ１が、第２の層間絶縁膜（２２）の側面の延長線と半導体基体（１０）の主面とのなす第２の傾斜角Ｓ２よりも小さく、第２の層間絶縁膜（２２）の上面が、開口部の上端から外側に向けて次第に半導体基体（１０）に近づくように傾斜している。

9. 发明申请

WO2020016964A1 マルチコアシステム审中-公开
公开(公告)号：WO2020016964A1
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：PCT/JP2018/026921
申请日：2018-07-18
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：山崎　尊永
IPC分类号： G06F11/16 , G06F11/18
摘要：本発明は、互いに異なる処理を実行する複数のプロセッサ１１ａ～１１ｃと、前記複数のプロセッサの内のいずれかのプロセッサを選択するマルチプレクサ１２－Ｘと、チェッカプロセッサ１６と、前記マルチプレクサで選択されたプロセッサの外部状態と前記チェッカプロセッサの外部状態とを比較しまたは前記マルチプレクサで選択されたプロセッサの内部状態と前記チェッカプロセッサの内部状態とを比較するコンパレータ１４－Ｘと、前記コンパレータの比較結果に基づき前記外部状態または内部状態が不一致の場合には選択されたプロセッサ又は前記チェッカプロセッサが異常であると判定するコントローラ２１とを備える。

10. 发明申请

WO2019224913A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：WO2019224913A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/JP2018/019673
申请日：2018-05-22
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：田▲崎▼　勇次
IPC分类号： H01L29/78
摘要：スーパージャンクション構造を有するＳＪパワーＭＯＳＦＥＴ１０であって、より一層の、スイッチング速度の高速化と耐圧の安定化とを実現するために、Ｎ－ピラー層となるドリフト層１３間に配置されたＰ－ピラー層２０が、Ｐ柱上部層２１とＰ柱下部層２２とから形成されると共に、Ｐ柱上部層２１の欠陥密度をＤａ、Ｐ柱上部層２１の不純物濃度をＣａ、Ｐ柱下部層２２の欠陥密度をＤｂ、Ｐ柱下部層２２の不純物濃度をＣｂとした時、Ｄｂ＞Ｄａ、Ｃａ＞Ｃｂの関係を満足するように構成される。

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