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1. 发明专利

JP5497348B2 Hydrochloric acid - a method for each of recovering the hydrochloric acid and hydrofluoric acid from a hydrofluoric acid-based mixed acid waste liquid 有权
公开(公告)号：JP5497348B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2009147507
申请日：2009-06-22
申请人：株式会社電硝エンジニアリング , 秀樹山本
发明人：秀樹山本 , 岩夫住母家
IPC分类号： C01B7/19 , C01B7/01 , C02F1/04

2. 发明专利

JP5448031B2 Etching method and an etching apparatus of the glass substrate 有权
公开(公告)号：JP5448031B2
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：JP2008313244
申请日：2008-12-09
申请人：株式会社電硝エンジニアリング , 株式会社ジャパンディスプレイ , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：岩夫住母家 , 健太森本 , 秀己佐藤 , 正治板倉 , 克美小原
IPC分类号： C03C15/02 , G02F1/1333

3. 发明专利

JP2013241297A Method of cutting glass plate, method of producing glass plate product, and apparatus for cutting glass plate 审中-公开
标题翻译：切割玻璃板的方法，生产玻璃板产品的方法和切割玻璃板的装置
公开(公告)号：JP2013241297A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：JP2012115100
申请日：2012-05-18
申请人： Densho Engineering Co Ltd , 株式会社電硝エンジニアリング
发明人： SUMIMOYA IWAO , SUGANO YASUHIRO , YAMANAKA MORIYUKI , YAMAMOTO KAZUHIRO
IPC分类号： C03C15/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent minute cracks from occurring when cutting a glass plate, and to reduce processes required for cutting the glass plate for cost reduction.SOLUTION: A method of cutting a glass plate includes: a glass plate-supporting part-mounting step of mounting a glass plate-supporting part for supporting the glass plate onto the glass plate to prevent the glass plate from falling down or colliding due to cutting; and a cutting step of cutting the glass plate, onto which the glass plate-supporting part is mounted through the glass plate-supporting part-mounting step, by performing etching using an etchant.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在切割玻璃板时发生微小的裂纹，并且减少切割玻璃板以减少成本所需的工艺。解决方案：一种切割玻璃板的方法包括：玻璃板支撑部件安装将用于将玻璃板支撑的玻璃板支撑部安装在玻璃板上以防止玻璃板因切割而摔倒或碰撞的步骤; 以及通过使用蚀刻剂进行蚀刻来切割玻璃板支撑部件通过玻璃板支撑部件安装步骤安装在其上的玻璃板的切割步骤。

4. 发明专利

JP4464188B2 A method of manufacturing a semiconductor manufacturing equipment for the anti-adhesion jig 有权
公开(公告)号：JP4464188B2
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：JP2004132569
申请日：2004-04-28
申请人： Necエレクトロニクス株式会社 , 株式会社電硝エンジニアリング
发明人：岩夫住母家 , 達夫高田
IPC分类号： C23C4/12 , C23C4/02

5. 发明专利

JP4443647B2 Force 發塵 type particle inspection method 失效
公开(公告)号：JP4443647B2
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：JP18807498
申请日：1998-06-19
申请人：株式会社電硝エンジニアリング
发明人：英人中野 , 岩夫住母家
IPC分类号： G01N15/00 , G01N1/02

7. 发明专利

JPWO2018020531A1 ガラス基板の研磨方法および研磨装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018020531A1
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2016003476
申请日：2016-07-27
申请人：株式会社電硝エンジニアリング , ジャパンクリエイト株式会社 , アイシーエム株式会社 , 株式会社常盤製作所
发明人：住母家岩夫 , 伊東由夫 , 中村マウロマサル , 日高ロニルドペレイラ , 田中光明
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L51/50 , H05B33/02 , C03C15/00
摘要：【課題】ガラス基板が均一な薄膜となるように表面を化学研磨することを可能とするとともに、治具痕の発生を抑制すると同時に破損のリスクを抑制した、研磨効率の高いガラス基板の研磨方法および研磨装置を提供する事を目的とする。【解決手段】液晶ディスプレイまたは有機ELディスプレイに用いるガラス基板の表面を均質に研磨するためのガラス基板の研磨方法が、ガラス基板を垂直に吊下して設置固定する設置工程と、化学研磨液を複数の噴射ノズルからガラス基板の両側面に継続的に噴射塗布する化学研磨工程と、溶融研磨されたガラス基板を洗浄する洗浄工程と、からなり、化学研磨工程は、液垂による化学研磨液の噴射塗布のムラの発生と残存を防止するため、ガラス基板上端側の噴射ノズルの縦間隔または横間隔をガラス基板下端より狭くなるように配置する構成である。【選択図】図2

8. 发明专利

JP4574165B2 Blasting method 有权
公开(公告)号：JP4574165B2
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2003435276
申请日：2003-12-26
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社 , 株式会社電硝エンジニアリング
发明人：卓也二瀬 , 岩夫住母家 , 穂立岐部 , 和久黒田
IPC分类号： B24C1/00 , B24C3/32 , H01L21/31

9. 发明专利

JP2005193308A Blasting device and blasting method 有权
标题翻译：喷砂装置和喷砂方法
公开(公告)号：JP2005193308A
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：JP2003435276
申请日：2003-12-26
申请人： Densho Engineering Co Ltd , Trecenti Technologies Inc , トレセンティテクノロジーズ株式会社 , 株式会社電硝エンジニアリング
发明人： FUTASE TAKUYA , SUMIMOYA IWAO , KIBE HOTAKA , KURODA KAZUHISA
IPC分类号： B24C1/00 , B24C3/32 , H01L21/31
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide blasting technology capable of processing a surface of a work piece in a plazma treatment chamber with high accuracy of roughness.
SOLUTION: In this blasting device 300, a blasting means 200 and a roughening degree measuring means 400a as a blasting control means 400 are accommodated in a casing 110. The blasting means 200 is mounted in a blasting chamber 111, and the roughening degree measuring means 400a is mounted in a measuring chamber 401 defined through an openable and closeable door 111a in the blasting chamber 111 in adjacent to the blasting means. A parameter input device 420 for setting various blasting conditions, and an analyzing device 430 for analyzing an average roughening degree, a rate of change of roughening degree on the basis of a result of the measurement of the roughening degree, are mounted as the blasting control means 400.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高精度的粗糙度处理在plazma处理室中的工件的表面的喷砂技术。解决方案：在这种喷砂装置300中，喷砂装置200和作为喷砂控制装置400的粗化度测量装置400a容纳在壳体110中。喷砂装置200安装在喷射室111中，并且粗糙化度量测量装置400a安装在测量室401中，该测量室401通过与爆破装置相邻的喷射室111中的可打开和关闭的门111a限定。用于设定各种喷砂条件的参数输入装置420和用于分析平均粗糙度的分析装置430，基于粗糙度的测量结果的粗糙度变化率被安装作为爆破控制意味着400.版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

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